?
Объемная фотоэмиссия в плазмонных наноструктурах металл-полупроводник с квантовой ямой в барьере Шоттки
Теоретически исследовано усиление объемной фотоэмиссии из металлической наносферы в полупроводниковую матрицу за счёт резонансного туннелирования фотовозбуждённых электронов через (квази)дискретный уровень в квантовой яме, расположенной в барьере Шоттки вблизи границы раздела металл-полупроводник. Показано, что резонансное туннелирование через дискретный уровень приводит к смещению порога объемного фотоэффекта в красную область спектра, что может привести к существенному (на порядок) увеличению внутренней квантовой эффективности фотоэмиссии из металлических наночастиц. Отмечен также эффект понижения высоты барьера Шоттки для сферических наночастиц при уменьшении их радиуса из-за влияния сил отображения на границе металл-полупроводник, а также при увеличении степени легирования полупроводника. Полученные результаты указывают на возможность существенного увеличения эффективности использования плазмонных наноантенн в фотодетекторах, фотовольтаике и фотохимии путем использования квантовых ям на границе металл-полупроводник.