• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Двусторонняя печатная плата
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Двусторонняя печатная плата

.
Жаднов В. В.

1. Двусторонняя печатная плата, включающая диэлектрическую подложку из, по меньшей мере, двух слоев стеклоткани, с отверстиями и контактными площадками и сформированную на ней электрическую схему, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка дополнительно снабжена защитным экраном, размещенным между слоями стеклоткани и выполненным из материала, обеспечивающего локальное экранирование для телесных углов до 2 стерадиан.

2. Двусторонняя печатная плата по п.1, отличающаяся тем, что защитный экран выполнен в виде слоя фольги из металла высокой плотности.

3. Двусторонняя печатная плата по п.3, отличающаяся тем, что защитный экран выполнен в виде слоя фольги из металла высокой плотности, выбранного из группы: церий, гафний, тантал, вольфрам.

4. Двусторонняя печатная плата по п.1, отличающаяся тем, что защитный экран выполнен в виде слоя фольги из тугоплавкого высокопрочного металла или сплава.

5. Двусторонняя печатная плата по п.4, отличающаяся тем, что защитный экран выполнен в виде слоя фольги из тугоплавкого высокопрочного металла, выбранного из группы: алюминий, титан, ванадий, хром, ниобий, молибден, цирконий, никель, кобальт или их сплавов.

6. Двусторонняя печатная плата по п.1, отличающаяся тем, что в защитном экране сформированы технологические вырезы, соответствующие месту размещения переходных отверстий на печатной плате

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: радиационная стойкостьпечатная платазащитный экран

В книге

Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ)
Вып. 33. , М.: Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
Похожие публикации
Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, «Асоника-ТМ»
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Добавлено: 7 мая 2024 г.
Engineering Methodology for the Selection of a Composite Polymer Dielectric that Ensures the Absence of Electrostatic Discharges in the Design of the Onboard Electronic Equipment of the Spacecraft
D. Abrameshin, S. Tumkovskiy, V. Saenko и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Computer Simulations and Experimental Investigation of the Heterodyne Employing Printed Circuit Board With an Increased Resistance to Electrostatic Discharges
D. A. Abrameshin,, E. D. Pozhidaev,, V. S. Saenko и др., IEEE Transactions on Plasma Science 2019 Vol. 47 No. 8 P. 3653–3657
Аннотация. Мы провели компьютерное моделирование и экспериментальные исследования характеристик стандартного аналогового устройства - гетеродина, использующего печатную плату изготовленнyю из композитного диэлектрика с контролируемой темновой проводимостью. Результаты моделирования показывают, что повышенная проводимость печатной платы менее 2 × 10 ^ −7 Ом ^ −1 • м ^ -1 практически не влияет на характеристики гетеродина, работающего в диапазоне частот ...
Добавлено: 27 мая 2019 г.
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020). Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов на мощные МОП транзисторы с учетом влияния емкости печатной платы
Константинов Ю. А., Горланов Е. С., Пожидаев Е. Д. и др., Системный администратор 2018 № 9 С. 84–89
Выполнено компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на мощные МОП транзисторы серии IRF. Исследовано влияние емкости печатной платы на напряжение затвор – исток транзисторов. Показано, что чем меньше величина емкости затвор – исток транзистора, тем больше возрастает напряжение затвор -исток при увеличении емкости печатной платы. Установлена связь между напряжением разряда, при котором происходит пробой подзатворного ...
Добавлено: 10 октября 2018 г.
Радиационные изменения параметров биполярных транзисторов
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов, рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы), рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов. Учебное пособие по дисциплине: “Физика электронных приборов и средств связи”
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом, рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия, рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников; дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Печатные платы и узлы гигабитной электроники
Кечиев Л. Н., М.: Грифон, 2017.
Рассматриваются вопросы конструирования печатных плат и печатных узлов для систем гигабитного быстродействия. Основное внимание уделено обеспечению целостности сигнала в стандартных одномодовых линиях ТТЛ/КМОП и в дифференциальных парах. Детально разбираются физические аспекты снижения уровня помех в цепях сверхбыстродействующих устройств. Приводятся базовые сведения о материалах для печатных плат, их свойствах и влиянии на качество сигнала.  В книге даны ...
Добавлено: 26 октября 2017 г.
Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Simulation Of Reliability For Electronic Means With Regard To Temperature Fields
Артюхова М. А., Полесский С. Н., Линецкий Б. Л. и др., Reliability: Theory & Applications 2016 No. 4 P. 84–95
The paper considers the technique of modeling of electronic reliability based on modeling electrical components environment temperature. As experience of the simulation and exploitation of electronic shows, one of the main factors that significantly affect the reliability characteristics is the thermal effect. This is confirmed by the statistics of a number of companies. In the ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.
Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016»
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Радиационная стойкость конструкционного радиационно-защитного композиционного материала на основе магнетитовой матрицы
Ястребинский Р. Н., Бондаренко Г. Г., Павленко В. И., Перспективные материалы 2016 № 6 С. 23–29
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией 0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы, используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых электронов по толщине защитного композита. ...
Добавлено: 18 мая 2016 г.
КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
Адонин А. С., Петросянц К. О., М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022.
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916–922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Добавлено: 25 февраля 2016 г.
Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов
Петросянц К. О., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Charged Board Model ESD Simulation for PCB Mounted MOS Transistors
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947–954
Добавлено: 15 января 2016 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору