?
Charged Board Model ESD Simulation for PCB Mounted MOS Transistors
IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2015. Vol. 57. No. 5. P. 947-954.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В.
Kuznetsov V., Kechiev L., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 1 января 2016 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2013 № 1(44) С. 29-38
Проведено моделирование воздействия электростатического разряда на МОП-транзисторы, установленные на печатной плате. Результаты моделирования сравниваются с результатами испытаний тестовой печатной платы на воздействия ЭСР и проводится исследование воздействия печатной платы на порог отказа МОП-транзисторов при воздействии ЭСР по сравнению с их собственным порогом отказа. Обнаружено снижение порога отказа при ЭСР для транзисторов, установленных на печатной плате. ...
Добавлено: 3 мая 2013 г.
Агапов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2009 № 2 С. 72-75
В работе представлен оригинальный испытательный стенд для определения помех от электростатических разрядов в кабелях космических аппаратов. Полученные при испытаниях коэффициенты трансформации тока в напряжение помех во фрагментах кабелей используются для расчетов уровня наводок на входах электронных блоков бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов. ...
Добавлено: 10 апреля 2013 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 1(48) С. 46-52
Рассматривается модель заряженной платы (CBM) — особый вид ЭСР по модели заряженного компонента (CDM). Подтверждено снижение порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР. Проведено экспериментальное исследование и моделирование формы тока ЭСР. Получено хорошее согласование экспериментальных и расчётных данных. ...
Добавлено: 28 апреля 2014 г.
Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2016 № 4 С. 49-52
Рассмотрена модель интенсивности отказов КМОП СБИС, предложенная в статье Пискуна Г.А., Алексеева В.Ф. «Совершенствование математической модели расчёта надёжности КМОП СБИС с учётом особенностей воздействия электростатического разряда», опубликованной в первом номере журнала «Технологии электромагнитной совместимости» за 2016 год. Показано, что утверждение авторов о том, что эта модель «…позволит более точно осуществлять оценку надёжности КМОП СБИС» в ...
Добавлено: 29 октября 2016 г.
Выполнено компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на мощные МОП транзисторы серии IRF. Исследовано влияние емкости печатной платы на напряжение затвор – исток транзисторов. Показано, что чем меньше величина емкости затвор – исток транзистора, тем больше возрастает напряжение затвор -исток при увеличении емкости печатной платы. Установлена связь между напряжением разряда, при котором происходит пробой подзатворного ...
Добавлено: 10 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 4 С. 96-97
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры. ...
Добавлено: 6 октября 2013 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 1(48) С. 46-52
Рассматривается модель заряженной платы (CBM) — особый вид ЭСР по модели заряженного компонента (CDM). Подтверждено снижение порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР. Проведено экспериментальное исследование и моделирование формы тока ЭСР. Получено хорошее согласование экспериментальных и расчётных данных. ...
Добавлено: 6 июня 2014 г.
Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2015 № 4 С. 29-34
Показатели ремонтопригодности современных электронных средств в значительной степени зависят от характеристик надежности применяемой электронной компонентной базы. Воздействие катастрофических электрических перегрузок вследствие электростатических разрядов может привести к отказам интегральных схем, которые широко используются в электронных средствах. В статье рассматриваются вопросы оценки влияния электростатических разрядов на показатели ремонтопригодности электронных средств. ...
Добавлено: 26 октября 2015 г.
Kusnetsov V. V., Kechiev L. N., , in : Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific–practical conference. Part 2. * 2.: M. : HSE, 2014. P. 545-548.
Добавлено: 28 апреля 2014 г.
Абрамешин А. Е., Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 2 С. 27-34
Показатели безотказности бортовой космической аппаратуры в значительной степени зависят от характеристик надежности интегральных схем. Одной из возможных причин отказов интегральных схем является воздействие катастрофических электрических перегрузок вследствие электростатических разрядов. В статье рассматривается метод формирования математической модели интенсивности отказов интегральных схем и возможность его применения для интегральных схем аппаратуры космических аппаратов, эксплуатируемых на геостационарных или высокоэллиптических ...
Добавлено: 10 июня 2014 г.
Жаднов В. В., Мир измерений 2016 № 4 С. 8-11
В статье рассматриваются вопросы оценки надёжности электронных измерительных приборов при проектировании. Приводится описание моделей интенсивностей отказов КМОП ИС, учитывающих влияние ЭСР, и показано, что для электронных измерительных приборов, содержащих относительно небольшое количество таких микросхем, применение стандартизованной модели интенсивностей отказов, учитывающей влияние ЭСР, может привести к существенным погрешностям в расчётах надёжности. В качестве альтернативы предложена модель, ...
Добавлено: 13 октября 2016 г.
Артюхова М. А., Полесский С. Н., Линецкий Б. Л. и др., Reliability: Theory & Applications 2016 No. 4 P. 84-95
The paper considers the technique of modeling of electronic reliability based on modeling electrical components environment temperature. As experience of the simulation and exploitation of electronic shows, one of the main factors that significantly affect the reliability characteristics is the thermal effect. This is confirmed by the statistics of a number of companies. In the ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2016 № 1 С. 109-116
В статье рассмотрены вопросы разработки подсистемы параметрической оптимизации КМОП операционных усилителей. В подсистеме применяется оптимизационный подход и методы схемотехнического моделирования для расчета показателей схем. Рассмотрены структура подсистемы, выбор методов оптимизации, формирование целевой функции и ограничений, входные и выходные данные. Приведен пример применения подсистемы для синтеза схемы дифференциального КМОП усилителя. ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
Борисов Н. И., Востриков А. В., Красивская М. И. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 2(49) С. 39-46
В работе разработаны новые редуцированные вычислительные схемы численного интегрирования системы линейных дифференциальных уравнений на основе методов Эйлера. При этом подвергается редукции не исходная модель в виде системы линейных обыкновенных дифференциальных уравнений, а математические выражения, определяющие явный и неявный методы Эйлера. С помощью новых вычислительных схем время расчета неизвестных величин в локальной области, обозначенной пользователем, было ...
Добавлено: 10 июня 2014 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Крючков Н. М., Технологии электромагнитной совместимости 2015 № 1(52) С. 28-33
Рассмотрены вопросы замещения в учебном и научно-исследовательском процессе проприетарного ПО для схемотехнического моделирования электронных схем на программу со свободной лицензией Qucs с открытым исходным кодом. Изложены преимущества и недостатки такого подхода. Рассмотрен симулятор электронных схем, разрабатываемый Кузнецовым В.В. с информационной и методической поддержкой соавторов. ...
Добавлено: 13 марта 2015 г.
Ульянов С. Л., Gourary M. M., Rusakov S. G. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2017 No. 1 P. 39-45
Добавлено: 19 февраля 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Еремин О. Ю., Тумковский С. Р., Качество. Инновации. Образование 2010 № 4 С. 37-42
В работе рассматриваются вопросы применения нейросетевых технологий для обнаружения дефектов паяных соединений на печатных платах при использовании систем автоматического рентгеновского контроля. Автоматизация процесса обнаружения дефектов позволит уменьшить затраты на испытания опытных образцов и последующую корректировку принятых проектировщиком решений, а также повысить качество на этапе крупносерийного производства. ...
Добавлено: 27 января 2013 г.
Попов Д. А., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. : М. : ООО "Спектр", 2019. С. 270-277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Новиков Л. С., Хасаншин Р. Х., Гаценко Л. С. и др., Перспективные материалы 2015 № 1 С. 22-29
Представлены результаты сопоставительного анализа характеристик электростатических разрядов, возникающих на поверхности стекол К-208 и CMG при облучении их в вакууме электронами с энергиями в диапазоне 10-40 кэВ при плотности потока от 1010 до 2,5×1011 см-2с-1. Для обоих стекол наблюдались разряды, сопровождающиеся выбросом плазмы в окружающее пространство и образованием на поверхности микровыступов и разрядных каналов, однако условия ...
Добавлено: 30 августа 2015 г.
Востриков А. В., Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2012 № 3 С. 22-28
В работе рассмотрены подходы к построению вычислительной схемы ускоренного метода расчета наводок в бортовой кабельной сети космических аппаратов. Показано, что в случае больших эквивалентных электрических схем космических аппаратов для построения вычислительной схемы необходимо решать систему линейных алгебраических уравнений с разреженной блочной матрицей высокого порядка. Учитывая данную специфику, было предложено преобразовать эту матрицу к треугольному виду ...
Добавлено: 21 сентября 2012 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569-581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Добавлено: 16 октября 2017 г.