?
Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018
Vol. 11022G.
SPIE, 2019.
Научный редактор: V. Lukichev, K. Rudenko
Главы книги
Adonin A. S., Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018Vol. 11022G.: SPIE, 2019. P. 1–6.
Добавлено: 30 ноября 2019 г.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
Merzlinkin V., Khmelev A. V., Севрюков Д. О. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 No. 3 P. 205–209
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Дуплинский А. В., Khmelev A. V., Бахшалиев Р. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 17 No. 3 P. 88–92
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Miller A., Pismeniuk L., Дуплинский А. В. и др., EPJ QUANTUM TECHNOLOGY 2023 Vol. 10 No. 1 P. 52–72
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Серебренников Д. А., Белов А. В., Информационные технологии и вычислительные системы 2026 № 3 С. 157–169
В условиях роста стоимости энергоресурсов и необходимости повышения энергоэффективности производственных процессов особую актуальность приобретает задача оптимизации энергопотребления промышленных предприятий. В данной работе рассматривается подход к управлению энергозатратами машиностроительного предприятия на основе методов многокритериальной оптимизации. Постановка задачи включает несколько целевых функций: минимизацию энергопотребления, минимизацию стоимости электроэнергии с учётом тарифных ограничений и максимизацию производственной эффективности. Для решения ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Коробок М. А., Хлыстунов М. Е., Шемолин И. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2026 Т. 31 № S4.3 С. 473–486
В работе рассматривается задача реализации закона управления для серийного изготовляемых источников питания на основе LLC-преобразователя. Целью исследования является создание закона управления, позволяющего соблюсти требования к устойчивости преобразователя при разных параметрах резонансного контура и выходного фильтра. Для корректной работы обратной связи серийно изготовляемых источников питания необходимо учитывать разброс параметров их реактивных элементов. Методология проектирования закона управления ...
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Остовари М. А., Mehrabi-Kalajahi S., Solizoda I. A. и др., Metals and Materials International 2026 P. 1–9
Добавлено: 1 октября 2026 г.
Obraztsova Anna, Fominykh Nikita, Komarov Sergey и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 132110
Добавлено: 30 сентября 2026 г.
Стукач О. В., Ершов И. А., Динамика систем, механизмов и машин 2025 Т. 13 № 3 С. 82–87
Растущая сложность современной городской инфраструктуры приводит к возрастанию требований к эффективности управления теплоснабжениям, что должно обеспечиваться стабильной и эффективной работой теплоснабжающих организаций. Некачественное управление отпуском тепловой энергии приводит или к снижению теплового комфорта, или перерасходу тепловой энергии из-за перетопа. В системном плане теплопотребление жилых зданий в масштабах города представляет собой множество случайных рядов, характеризующихся причудливыми ...
Добавлено: 30 сентября 2026 г.
М.: МИЭТ, 2021.
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.)., тезисы докладов / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". — Москва : МИЭТ, 2021. — 251 с.; 20. — ISBN 978-5-7256-0964-6. ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
СПб.: ВКАС им. Буденного, 2026.
В сборнике представлены статьи о результатах научных исследований и инновационных технических, технологических и методологических решений в области совершенствованию отечественных систем связи, автоматизации и информационной безопасности. ...
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора. ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.