Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии

Письма в Журнал технической физики. 2025. Т. 51. № 11. С. 41–45.

Моисеев Э. И., Комаров С. Д., Иванов К. А., Цацульников А. Ф., Луценко Е. В., Войнилович А. Г., Сахаров А. В., Артеев Д. С., Николаев А. Е., Заварин Е. Е., Масютин Д. А., Пивоварова А. А., Ильинская Н. Д., Смирнова И. П., Марков Л. К., Жуков А. Е., Крыжановская Н. В.

Созданы микродисковые лазеры с использованием полупроводниковой структуры InGaN/GaN на подложке Si. Продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре в микролазерах диаметром 5−8 μm, работающих при оптической накачке в импульсном режиме на модах шепчущей галереи. Продемонстрирован сдвиг длины волны генерации от 406 до 425 nm за счет уменьшения оптических потерь лазера при увеличении его диаметра в пределах полосы усиления активной области на основе квантовых ям InGaN/GaN.

Ключевые слова: дисковый резонатор, моды шепчущей галереи, III-N микролазер, микролазер на кремнии

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов (2026)