?
Membrane-integrated planar Schottky diodes for waveguide mm-wave detectors
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, Россия. 2021. No. 3. P. 34–34.
We report on the technology of membrane-integrated planar Schottky diodes intended for use as part of waveguide mm-Wave detectors. The diode fabrication process mainly relies on selective etching of GaAs enabling the implementation of both a metallic suspended bridge terminated by a microscale Schottky contact to n-GaAs and a 140-200 μm thick SI-GaAs membrane underneath. The membrane acts as a quarter-wave backshort, once the diode chip is installed into the waveguide detector block and its back surface is metalized. The diode is fabricated between the arms of a bow-tie antenna coupled to a rectangular waveguide. EM modeling and preliminary performance tests suggest that the technology developed is suitable for the implementation of waveguide detectors operational within 100-180 GHz.
Language:
English
Korobok M., Хлыстунов М. Е., Шемолин И. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2026 Т. 31 № S4.3 С. 473–486
The paper considers the task of implementing the control law for mass-produced power supplies based on an LLC converter. The aim of the study is to create a control law that allows meeting the requirements for the stability of the converter at various parameters of the resonant circuit and the output filter.
For the feedback of ...
Added: October 4, 2026
Zhukov A., Chen F., Zeng Y. et al., Nanoscale 2026 Vol. 18 No. 36 P. 19223–19253
Colloidal semiconductor nanocrystals have emerged as promising materials for next-generation light-emitting diodes (LEDs) owing to their solution processability, tunable emission wavelengths, narrow emission linewidths, and high photoluminescence quantum yields. Among them, anisotropic nanocrystals, including one-dimensional nanorods (NRs) and two-dimensional nanoplatelets (NPLs), offer additional opportunities for controlling transition dipole moment orientation and light out-coupling efficiency. These ...
Added: October 2, 2026
Ostovari Moghaddam A., Mehrabi-Kalajahi S., Solizoda I. A. et al., Metals and Materials International 2026 P. 1–9
Off-stoichiometric boron-doped chemically complex intermetallic alloys (CCIMAs) have recently emerged as a new avenue for overcoming the low temperature brittleness of ordered superlattices. However, their behavior at high temperatures remains unexplored. In this study, a novel (Ni39.6Co29.3Cr10Al15.8Ta3.3Nb2)98.5B1.5 CCIMA was prepared and its oxidation resistance over a wide temperature range (500 °C–950 °C) was studied. The ...
Added: October 1, 2026
Obraztsova Anna, Fominykh Nikita, Komarov Sergey et al., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 132110
Miniaturization of edge-emitting quantum-dot lasers is hampered by increased mirror losses in ultra-short Fabry–Perot cavities and limited modal gain of quantum dots (QDs). Here, we demonstrate electrically injected InGaAs/GaAs quantum-dot stripe lasers with an 8-lm stripe width and focused-ion-beam (FIB)-etched mirrors defining cavity lengths from 300 to 77 lm. The laser cavities were fabricated using ...
Added: September 30, 2026
Stukach O., Ершов И. А., Динамика систем, механизмов и машин 2025 Т. 13 № 3 С. 82–87
The growing complexity of modern urban infrastructure increased demands on the efficiency of heat supply, which must be ensured by the sustainable and efficient operation of supply organizations. Decrease in thermal comfort, or overspending of thermal energy is followed by bad quality of control. Systemically, the heat consumption of residential buildings on a city range ...
Added: September 30, 2026
Войтович В. И., Makhov I., Мельниченко И. А. et al., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
The influence of cavity surface passivation with SiO2 coating deposited by the plasma-enhanced chemical vapor deposition technique is investigated for injection microdisk lasers with an InGaAsN/GaAs quantum well active region. The electroluminescence spectra of the microdisk lasers with cavity diameters ranging from 12 to 32 μm with and without sidewall surface passivation were studied for a ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Added: September 25, 2026
Zhukov A., Wang Q., Zeng Y. et al., Nano Letters 2026 Vol. 26 No. 34 P. 11565–11572
Colloidal semiconductor nanorods (NRs) are promising room-temperature single-photon sources because of their
solution processability, tunable optical properties, and intrinsically linearly polarized emission. However, simultaneously achieving high photoluminescence quantum yield (PLQY), strong polarization, and high-purity single-photon emission remains challenging in conventional binary-shell NRs due to the competing requirements of
exciton confinement and core/shell lattice−strain management. Here, we report CdSe/CdZnS gradient alloy core/shell NRs with tunable ...
Added: September 23, 2026
СПб.: ВКАС им. Буденного, 2026.
В сборнике представлены статьи о результатах научных исследований и инновационных технических, технологических и методологических решений в области совершенствованию отечественных систем связи, автоматизации и информационной безопасности. ...
Added: September 23, 2026
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
The paper presents the results of device and process modeling of bipolar transistors on a silicon - silicon oxide - silicon structure. A comparison of the output characteristics of the models and transistor samples showed the high accuracy of the developed model. To improve the performance of eld-e ect transistors with a control p-n-junction, design ...
Added: September 17, 2026
Huang D., Chen Y., Luo X. et al., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Using self-consistent Bogoliubov-de Gennes calculations for kagome flakes framed by armchair
and flat edges, we observe a configuration-dependent spatial inhomogeneity of an 𝑠-wave superconducting
condensate. Specifically, at half-filling, the local pair potential is significantly enhanced
by up to 77.8% at edge centers and up to 148.9% at corners, subsequently boosting their
local critical temperatures by up to 13.5% and ...
Added: September 7, 2026
Denis K., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Added: September 6, 2026
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Denis K., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
A model of quasistationary states is constructed for the one-dimensional edge states propagating along the edge of a two-dimensional topological insulator based on HgTe/CdTe quantum well in the presence of magnetic barriers with finite transparency. The lifetimes of these quasistationary states are found analytically and numerically via different approaches including the solution of the stationary ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Dorokhin M. V., Ved M. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
The GaAs/InGaAs quantum wells with a ferromagnetic δ〈Mn〉 layer in GaAs barrier demonstrate a set of interesting spin-related phenomena originating from Mn-hole interaction. One of such phenomena is a spin-memory effect which consists of Mn spin polarization induced by interaction with vicinity spin-polarized holes generated under the exposure by short circularly polarized light pulses. Here long Mn ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. et al., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
We have investigated the layers of the (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor with the thickness in the range of 150 – 400 nm, which have been formed by the combination of the methods of a pulsed laser deposition and a post-growth pulsed laser annealing. It has been found that the laser annealing has a significant effect on the structural, ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
A model of bound state formation from the delocalized edge states of 2D topological insulator (TI) is derived by considering the effects of magnetic barriers attached to the edge of the HgTe/CdTe quantum well. The resulting structure has a spatial form of 1D quantum dot (QD) with variable number of bound states depending on barrier ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Single-spin state evolution induced by the Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) interference in a Zeeman-spit four-level system in a periodically driven double quantum dot is studied theoretically by the Floquet stroboscopic method. An interplay between spin-conserving and spin-flip tunneling processes with the electric dipole spin resonance (EDSR) that is induced in an individual dot and enhanced by the ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Added: September 6, 2026