Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

К. О. Петросянц; И. А. Харитонов; Д. А. Попов

?

Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева

С. 451–458.

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D.

CMOS SOI cells transients were simulated using device (TCAD) and circuit (HSPICE) software tools taking into account the self-heating effects. Effect of signal cycle duration on transistors temperature was analyzed. MOSFET structures electrical and thermal parameters were defined from the TCAD simulation results and than were used for cell circuit simulation with HSPICE.

Language: Russian

Full text

Keywords: КМОП КНИ БИС SYNOPSYS TCAD HSPICE кремний на изоляторе эффект саморазогревва моделирование схем

Publication based on the results of:

Development of the methods for multilevel research and simulation of modern temperature and radiation hardened microelectronic components from material level to circuit level (2013)

In book

Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26

Т. 3. , М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology

Wang Y., Liu F., Li B. et al., IEEE Transactions on Nuclear Science 2021 Vol. 68 No. 8 P. 1660–1667

The dependence of temperature and back-gate bias on single-event upset (SEU) sensitivity is investigated based on a 0.2- μm double silicon-on-insulator (DSOI) technology. At room temperature, an obvious decrease in SEU cross section with the negative back-gate bias is experimentally observed for a DSOI static random access memory (SRAM). The physical mechanism of single-event effect ...

Added: September 26, 2021

Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Orekhov E. V. et al., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21–32.

С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...

Added: March 25, 2014

Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312–315.

Single event upsets (SEU) produced by heavy ions in SOI CMOS SRAM cells were simulated using a mixed-mode approach, that is, two-dimensional semiconductor device simulation by TCAD tool coupled with circuit SPICE simulator. The effects of parasitic BJT and particle strike position on the SOI CMOS SRAM cells upset for transistor length scaling from 0.25 ...

Added: October 4, 2013

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267–270.

The effects of neutron irradiation on both Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction transistor (HBT) are investigated using Synopsys TCAD tool. The carrier lifetime degradation under irradiation models are included in the program. For SiGe HBT at fluences as high as 10**15 cm-2 the degradation of peak current gain is less than 40%, ...

Added: April 12, 2012

Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73–78.

Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD. ...

Added: April 12, 2012

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

Kharitonov I. A., В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. РоссияТ. 1.: Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49–52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем. ...

Added: April 12, 2012