SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов

Петросянц Константин Орестович; Кожухов Максим, Владимирович

Глава

SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов

С. 320-326.

Петросянц К. О., Кожухов М. В.

В работе исследуется воздействие нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Представлены SPICE-макромодели, учитывающие влияние нейтронного и γ-излучения на характеристики Si БТ и SiGe ГБТ. Показано что результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментом.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 910 Кб)

Ключевые слова: SPICE-модель SiGe транзисторы HBT радиационные факторы нейтроны гамма-излучение полученная доза

Публикация подготовлена по результатам проекта: Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям(2013)

В книге

Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26

Под науч. редакцией: С. У. Увайсов Т. 3. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013.

Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures

Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.

Добавлено: 22 октября 2018

Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др. Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.

В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощённых доз гамма- излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.

Добавлено: 28 ноября 2012

The effective growth of gamma-ray background during a thunderstorm

Zybin K., Gurevich A. V., Chubenko A. P. et al. Physics Letters A. 2011. Vol. 375. No. 45. P. 4003-4006 .

Добавлено: 20 октября 2014

СВЧ монолитная интегральная схема усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц

Будяков А. С., Савченко Е. М., Пронин А. А. и др. В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов. М.: ИППМ РАН, 2010. С. 577-582.

Представлены результаты измерения СВЧ монолитной интегральной схемы усилителя мощности на основе кремниевой технологии с выходной мощностью 1 Вт на частоте 800 МГц. Описываются основные проблемы проектирования монолитных интегральных СВЧ усилителей мощности на основе кремниевой технологии и способы их решения.

Добавлено: 18 марта 2013

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012

Сборник аннотаций национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследования наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования" (СИН НАНО 2015), г. Москва, 6 - 10 июля 2015 г.

М.: НИЦ «Курчатовский институт», 2015.

Сборник содержит аннотации докладов, преставленных участниками национальной молодежной научной школы для молодых ученых, аспирантов и студентов по современным методам исследований наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования". Материалы представлены в авторской редакции.

Добавлено: 13 июля 2015

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012