• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования

С. 413-418.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В.

В статье приведены результаты смешанного 3D приборно-схемотехнического моделирования воздействия ОЯЧ на различные области КНИ МОП транзисторов в составе ячейки памяти при масштабировании транзисторов от 0,5 до 0,1 мкм. Показано, что на устойчивость ячейки памяти к воздействию ОЯЧ существенно влияет не только величина критического заряда, но также и место попадания частицы и форма возникающего при этом импульса тока.