• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Физические процессы в наноструктурах AL–ALN, инициируемые ионной бомбардировкой

С. 735-740.
Никифоров Д. К., Коржавый А. П., Никифоров К. Г., Бондаренко Г. Г.
Выполнен вычислительный эксперимент по исследованию катодного распыления поверхности и ионного внедрения в объём диэлектрика наноструктуры металл – нитрид металла в условиях He-Ne газового разряда. Получены распределения внедрённых ионов He и Ne в объёме нанослоя AlN при различных уровнях их начальной энергии Показано, что под действием бомбардировки ионами гелия и неона происходит модификация как поверхности, так и практически всего объёма нанослоя. Для формирования эффективной электронной эмиссии изученных структур необходимо уменьшать толщину диэлектрического нанослоя (AlN), однако в реальных условиях ионной бомбардировки эта возможность будет ограничена ≈ 5 нм.