Глава
Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research
В печати
Язык:
английский
Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 до 50 кэВ, электрическое поле варьировалось от 5 до 40 В / мкм. Полуэмпирическая модель Роуза-Фаулера-Вайсберга, основанная на формализме многократного захвата была использована для анализа данных РЭ и параметров дисперсионного транспорта носителей заряда. Анализ показал, что носители заряда двигались изолированно друг от друга, и приложенные электрические поля были ниже порогового поля запуска эффекта переключения (обратимый переход от высокого к низкому удельному сопротивлению) в пленках со-ПАЭК. Также было обнаружено, что пленки со-ПАЭК благодаря сверхлинейным ВАХ устойчивы к электростатическим разрядам, возникающим в результате воздействия ионизирующего излучения. Это свойство важно для разработки защитных покрытий для электронных устройств.