Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research

Tsendin K.; Bogoslovskiy N.

doi:10.1142/9789811215575_0004

Публикации

?

Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research

P. 107–123.

Tsendin K., Bogoslovskiy N.

Язык: английский

DOI

Ключевые слова: switching effect эффект переключения эффект памяти memory effect халькогенидные стеклообразные полупроводники

В книге

The World Scientific Reference of Amorphous Materials: Structure, Properties, Modeling and Main Applications (In 3 Volumes)

Vol. 1: Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides. , World Scientific, 2021.

Stable On-the-Fly Learning for Dynamic Neural Networks With Delayed Inputs

Chertopolokhov V., Mukhamedov A., Bugriy G. и др., IEEE Access 2026 Vol. 14 P. 14369–14392

Добавлено: 22 мая 2026 г.

Resistive Anomaly near a Ferromagnetic Phase Transition: A Classical Memory Effect

Maslov D., Vladimir I. Yudson, Batista C., Physical Review Letters 2025 Vol. 135 No. 3 Article 036301

Добавлено: 11 сентября 2025 г.

Peculiarities of the memory state formation in thin Ge2Sb2Te5 films

S. A. Fefelov, Kazakova L. P., N. A. Bogoslovskiy и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 No. 114 Article 012087

Добавлено: 8 ноября 2022 г.

Исследование эффекта памяти в тонких пленках аморфных халькогенидных полупроводников состава GST225

Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии 2022 Т. 238 С. 228–242

В последнее время большое внимание направлено на разработку новых типов энергонезависимой памяти. Одним из наиболее перспективных материалов для решения этой задачи являются халькогенидные полупроводники (ХСП) состава Ge2Sb2Te5 (GST225), обладающие фазовой памятью, которая основана на фазовом переходе вещества из аморфного состояния в кристаллическое (эффект памяти) под воздействием электрического поля [Ovshinsky, 1968; Yamada et al., 1991]. В ...

Добавлено: 8 ноября 2022 г.

Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5

Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 4 С. 372–375

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: ...

Добавлено: 11 ноября 2020 г.

Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe

Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52 № 12 С. 1503–1506

Вольт-амперные характеристики тонкопленочных образцов системы GeSbTe измерены в режиме генератора тока. Исследованы осцилляции напряжения, наблюдающиеся после переключения. Показано, что эти осцилляции могут быть связаны с образованием горячего шнура тока и его постепенным остыванием. Сделаны оценки размера и температуры шнура тока. Показано, что характерная температура в шнуре тока соответствует температуре фазового перехода в кристаллическое состояние. ...

Добавлено: 11 ноября 2020 г.

Radiation-Induced Transient Currents in Films of Poly(arylene ether ketone) Including Phthalide Moiety//Polymers, doi: 10.3390/polym12010013

, Shaposhnikova V., Alexey R. Tameev и др., Polymers 2020 Vol. 12 No. 00013 P. 1–9

Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...

Добавлено: 20 ноября 2019 г.