?
Strain-engineered Ge embedded into microresonators as an active media for Si photonics
P. 1–2.
Yurasov D. V., Gusev N. S., Dyakov S. A., Nezhdanov A. V., Novokov A. V., Skorokhodov E. V., Вербус В. А., Yablonskiy A. N., Krasilnik Z. F.
В книге
Singapore: IEEE, 2019.
Юрасов Д. В., Яблонский А. Н., Шалеев М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 10 С. 29–32
Рассмотрено влияние глубины травления отверстий двумерных фотонных кристаллов, сформированных
на Si структурах со встроенными Ge наноостровками, на их люминесцентный отклик. Обнаружено, что
максимальная интенсивность люминесцентного отклика от фотонных кристаллов наблюдается не при
формировании отверстий на всю глубину структуры, а при некоторой промежуточной глубине травления.
Обсуждаются возможные причины данного экспериментального наблюдения. ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Лазарев М. В., Журнал радиоэлектроники 2011 № N 9 С. 1–15
Обычно образование запрещенных зон в фотонных кристаллах (ФК) связывается с выполнением условия брэгговского отражения, когда длина оптического пути через элементарную ячейку порядка половины длины волны. Показано, что при большом контрасте значений адмиттанса слоев, образующих одномерный ФК, возможно образование запрещённой зоны в случае, когда длина оптического пути через элементарную ячейку много меньше половины длины волны. Физическая ...
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Приведены результаты исследования образцов инвертированных фотонно-кристаллических пленок, содержащих планарные и свернутые в форме свитков нанокристаллы CdSe. Получены спектры пропускания данных структур, подтверждающие наряду с изменением цвета пленок вхождение в них нанокристаллов, изучена динамика затухания интенсивности фотолюминесценции. Показано, что фотонно-кристаллическая матрица оказывает существенное влияние на кинетику люминесценции наноструктур. Различия кривых затухания, измеренных для нанокристаллов в фотонно-кристаллической ...
Добавлено: 18 октября 2021 г.
Ignatyeva D., Kapralov P., Golovko P. и др., Sensors 2021 Vol. 21 No. 6 Article 1984
Добавлено: 13 марта 2021 г.
Добавлено: 19 января 2021 г.
Konopsky V., Мельников А. А., Alieva E. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 10 P. 2871–2875
Добавлено: 29 ноября 2019 г.
Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., В кн.: Труды ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород, т.2,Т. 2: Полупроводниковые наноструктуры:.: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2019. С. 898–899.
Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур и исследованию их оптических свойств. Свободновисящие Ge структуры были получены с помощью оптической литографии, плазмохимического и селективного хими ческого травления, используя метод “концентрации напряжений”. Для обеспечения теплоотвода от свободновисящих структур схема их формирования была модифицирована таким образом, чтобы обеспечить механический контакт подвешенной части микроструктуры с подложкой. Было ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.