?
SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей
С. 103-110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения.
В книге
Вып. 3. , М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018
Петросянц К. О., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 49-50.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Рябов Н. И. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). : Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250.
Представлена система теплового проектирования на уровнях кристалла ИС и печатных плат. Система интегрирована в САПР Mentor Graphics и состоит из трёх подсистем: теплового проектирования в IC Station; теплового проектирования в Expedition PCB; тепловых измерений для проверки результатов теплового моделирования. ...
Добавлено: 17 марта 2013 г.
Трубочкина Н. К., Качество. Инновации. Образование 2014 № 9 С. 43-53
Описан подход к созданию матриц памяти на основе двух различных алгоритмов построения базовой ячейки памяти – RS–триггера переходной схемотехники. Приведены результаты успешного компьютерного моделирования двух одноослойных наноструктур для матриц памяти с повышенной информационной плотностью. Принципиально важным является однослойная реализация наноструктур запоминающих элементов, что существенно упрощает и удешевляет процесс производства матриц памяти на этих наноструктурах. Отмечается ...
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014. : М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
Описывается блок-схема и части инновационной подсистемы для проектирования интегральных схем с учетом факторов температуры и радиации. Рассмотрены программное обеспечение и математические модели, используемые для проектирования стойких интегральных схем в русле импортозамещения электронной компонентной базы для жестких условий эксплуатации. ...
Добавлено: 17 октября 2014 г.
ИППМ РАН, 2021
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Даниэль М. А., Khurshudian V., , in : Linguistics of Temperature. : Amsterdam : John Benjamins Publishing Company, 2015. P. 392-439.
This paper is an analysis of lexical categorisation of the temperature domain in modern Eastern Armenian. Compared to the vast research outline proposed in (Koptjevskaja-Tamm 2011), this paper has several important limitations. First, it is focused on non-derived, primary temperature terms (most of which happen to be adjectives or nouns, or both). Derived lexical items, ...
Добавлено: 17 октября 2013 г.
Орехов Е. В., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Шалумов А. С., Чабриков С. В., Шалумова Н. А., Динамика сложных систем 2012 Т. 6 № 2 С. 103-108
В статье рассматриваются возможности подсистемы анализа и обеспечения тепловых характеристик конструкций радиоэлектронных средств АСОНИКА-Т по построению тепловых моделей, в которых присутствует теплообмен излучением. Кроме того рассматриваются возможности подсистемы по построению тепловых моделей конструкций радиоэлектронных средств, содержащих радиаторы охлаждения полупроводниковых приборов. Также рассматриваются средства, предлагаемые для включения в функционал Асоники-Т, назначением которых является упрощение расчета коэффициентов ...
Добавлено: 26 ноября 2012 г.
Харитонов И. А., Белопашенцев А. С., В кн. : Наноиндустрия. Ч. 1. Т. 15: Российский форум "Микроэлектроника-2021". Вып. S8-1 (113).: М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2022. С. 195-200.
C использованием модифицированных SPICE моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, и время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 нм до 28 нм. ...
Добавлено: 1 декабря 2022 г.
Дёмин Д. О., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 118-119.
Работа посвящена разработке системы трехмерной визуализации результатов моделирования осесимметричных задач процессов обработки металлов давлением. Рассматриваются функциональные возможности разрабатываемой программы. ...
Добавлено: 6 июня 2016 г.
Представлены оценки прогнозных значений приземной температуры воздуха и осадков за период июль 2010 - июнь 2013. Вычисляются прогнозы приземной температуры на 5 дней и осадков на 3 дня. Предложенная статистическая схема использует результаты лучших зарубежных глобальных схем и региональной схемы COSMO-RU7. Совместный статистический учет различных видов систематических ошибок в комплексной схеме прогноза позволяет превзойти по ...
Добавлено: 7 декабря 2013 г.
Щирый А. О., Коновальчик А. П., Плаксенко О. А., Наукоемкие технологии в космических исследованиях Земли 2019 Т. 11 № 1 С. 4-11
Статья посвящена разработке отечественной системы автоматизированного проектирования радиолокационных систем (РЛС), радиолокационных комплексов, радиолокационных станций. Специфика разрабатываемой системы проектирования наиболее выражена в учете сценариев использования проектируемого изделия в условиях конкретных средств воздушно-космического нападения и обороны, что в сочетании с прочим функционалом позволяет осуществлять обоснование облика перспективных радиолокационных систем (комплексов, станций). В работе представлена концепция пяти уровней ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
Алакоз Г. М., Курак М. В., Сериков А. П., М. : Национальный открытый университет «ИНТУИТ», 2015
В книге обобщен опыт создания и применения полностью отечественных битпотоковых технологий, для распространения которых в области супрамолекулярных и нанометровых вычислителей достаточно заменить инициализацию инструкций инструктированным синтезом реализующих их устройств. Раскрыты все этапы и поддерживающие их инструментальные платформы микропрограммного конструирования алгоритмически ориентированных (сверх)параллельных бит-потоковых субпроцессоров. Показано, что высокая живучесть бит-потоковых субпроцессоров поддерживается как за счет толерантного ...
Добавлено: 3 марта 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
С помощью моделирования подробно исследован механизм одиночных сбоев в структуре ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ с проектными нормами 0.5 и 0.1 мкм. Показано, что сбои могут возникнуть из-за паразитного действия биполярного транзистора, увеличивающего величину суммарного собранного заряда. Проанализированы переходные процессы в КМОП КНИ ячейке памяти при попадании ОЯЧ в различные области структуры запертого n-МОП транзистора. ...
Добавлено: 25 марта 2014 г.
Добавлено: 17 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Козынко П. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2007 № 6 С. 30-38
В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые ...
Добавлено: 26 декабря 2012 г.
Установлено резкое снижение времени до зарождения трещин в вершине надреза напряженного полиэтилена в 10% растворе органического поверхностно – активного вещества ОП-7 по сравнению с дистиллированной водой при повышении температуры исследованных сред с 20 до 900С. Наблюдаемое различие связано с переходом процесса зарождения трещин от межмолекулярного ослабления связей в полимере в дистиллированной воде к процессу, обусловленному ...
Добавлено: 3 июля 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.