• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах

С. 224-226.

С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре.

В книге

TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах
Под редакцией: Ю. В. Колковский, В. Ф. Синкевич, А. А. Шаповалов и др. М.; Дубна: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017.