?
Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм.
С. 237-238.
В работе исследованы и проанализированы характеристики, определены параметры SPICE моделей отечественных КНИ МОП-транзисторов с уменьшенными до 0,18 мкм проектными нормами в диапазоне температуры до 300°С. Проведено сравнение характеристик с КНИ МОПТ, изготовленными по технологии с проектными нормами 0,5 мкм. Сделаны выводы об применимости технологии с меньшими проектными нормами для создания высокотемпературных ИС (до 300°С) с малыми размерами элементов.
Язык:
русский
В книге
М. : Техносфера, 2016
Петросянц К. О., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Добавлено: 23 января 2014 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386-392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 18-19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81-85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Konstantin O. Petrosyants, Харитонов И. А., Самбурский Л. М., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Добавлено: 12 марта 2015 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. : М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 65-66.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн. : Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов. Т. 14. Вып. 7s.: М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912-913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Konstantin O. Petrosyants, Попов Д. А., , in : 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015. Vol. 119.: P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176.
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 82-83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117.
Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77-82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Добавлено: 28 ноября 2012 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Исследовано влияние повышенной температуры на вид кривых переходного тока и подвижность дырок в ПК, допированном 20 и 30 мас. % ароматического гидразона. В варианте методики с однородной генерацией носителей заряда установлено, что форма кривой переходного тока с ростом температуры изменяется в качественном согласии с предсказаниями теории многократного захвата с экспоненциальным распределением ловушек по энергии. Эффективная ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 49-50.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А. и др., В кн. : Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. : М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.
Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС, электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569-581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Добавлено: 16 октября 2017 г.