• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Классификация средств внешней защиты электронных схем от ЭСР
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
29 апреля 2026 г.
8 драйверов технологического будущего: что изменит экономику
Какие отрасли определят облик ближайших десятилетий? Премьер-министр  Михаил Мишустин назвал 8 направлений, которые будут развиваться в ближайшие годы. О том, какие образовательные программы НИУ ВШЭ готовят специалистов по этим направлениям — в материале IQ медиа.
28 апреля 2026 г.
Почему слабые участники соревнований сдаются - и как это изменить
Доцент факультета экономических наук НИУ ВШЭ Анастасия Анцыгина разработала модель распределения призов, которая максимально стимулирует активность участников соревнований. Она предложила пересмотреть классический принцип «победитель получает все» и в некоторых случаях предлагать небольшую награду даже проигравшему. По ее мнению, это может повысить мотивацию участников и сделать соревнование более конкурентным. Результаты исследования опубликованы в журнале Economic Theory.
28 апреля 2026 г.
Исследователи НИУ ВШЭ собрали научную базу данных для изучения пищевых привычек у детей
Созданная в Высшей школе экономики база данных может стать основой для изучения пищевых привычек у детей. Об этом говорится в исследовании «Влияние возрастных, гендерных и социально-ролевых факторов на соответствие пищевого выбора детей возрастным нормам: экспериментальное исследование с веб-приложением Dish-I-Wish». Работа выполнена в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ. Исследование было представлено в рамках XXVI Апрельской международной научной конференции.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Классификация средств внешней защиты электронных схем от ЭСР

С. 110–115.
Малинова О. Е.

Рассматривается проблема возникновения электростатических разрядов при эксплуатации электронных схем. Приводится обзор основных поражающих факторов электростатических разрядов и их влияние на работу радиоэлектронной аппаратуры. Обосновывается необходимость использования средств защиты от электростатических разрядов. Дается классификация уровней защиты от электростатических разрядов и устройств защиты от электростатического разряда на основе принципа их действия. Приводятся требования, предъявляемые при конструировании защиты от кондуктивных помех. Сравнивается эффективность применения различных элементов внешней защиты. Кратко описываются наиболее распространенные средства внешней защиты электронных схем от воздействия электростатических разрядов, такие как TVS-диоды, варисторы, газовые разрядники, фильтры нижних частот, дроссели, гальваническая изоляция, а также приводятся условия и некоторые ограничения их применения.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: внешние воздействующие факторыэлектростатический разрядвнешняя защитакондуктивные помехи

В книге

Труды Международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО»: в 2 т.
Труды Международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО»: в 2 т.
Т. 1. , Пенза: ПГУ, 2016.
Похожие публикации
Разработка макромодели надежности импульсного источника вторичного электропитания
Иванов И. А., Королев П. С., Полесский С. Н. и др., Физические основы приборостроения 2023 Т. 12 № 3(49) С. 7–17
Предложена методика формирования достоверных макромоделей импульсных источников вторичного электропитания (ИВЭП) для прогнозирования единичного показателя надежности, как интенсивность отказов. Проведен натурный эксперимент функционирования импульсного ИВЭП при различных электрических нагрузках и температуре, по результатам которого выявлен фактор, критично влияющий на надежность импульсных ИВЭП. Этим фактором является температура. Также, разработана макромодель надежности импульсного источника вторичного электропитания, подтвержденная как ...
Добавлено: 24 января 2024 г.
Использование портретов n-норм для массового исследования цепей с модальным резервированием
Газизов Р. Р., Медведев А. В., Газизов Т. Р., Динамика систем, механизмов и машин 2021 Т. 9 № 3 С. 104–109
В работе предложено усовершенствовать процесс массового исследования цепей с модальным резервированием. Это показано на примере двухсторонней печатной платы с полигонами. В качестве среды моделирования использовалась компьютерная система TALGAT. Получено по 5 различных портретов (значений вдоль проводника) N-норм для каждого из трех сигналов: трапециевидного сверхкороткого импульса, реального сверхкороткого импульса и электростатического разряда. Приведены максимальные и минимальные ...
Добавлено: 24 ноября 2023 г.
Development of accelerated methods for calculating the pattern of current spreading over the surface of spacecraft
Востриков А. В., Прокофьева Е. Н., Journal of Space Weather and Space Climate 2022 Vol. 12 Article 29
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
О «совершенствовании» математической модели расчета надёжности КМОП СБИС с учетом ЭСР
Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2016 № 4 С. 49–52
Рассмотрена модель интенсивности отказов КМОП СБИС, предложенная в статье Пискуна Г.А., Алексеева В.Ф. «Совершенствование математической модели расчёта надёжности КМОП СБИС с учётом особенностей воздействия электростатического разряда», опубликованной в первом номере журнала «Технологии электромагнитной совместимости» за 2016 год. Показано, что утверждение авторов о том, что эта модель «…позволит более точно осуществлять оценку надёжности КМОП СБИС» в ...
Добавлено: 29 октября 2016 г.
Оценка надёжности электронных измерительных приборов при воздействиях электростатических разрядов
Жаднов В. В., Мир измерений 2016 № 4 С. 8–11
В статье рассматриваются вопросы оценки надёжности электронных измерительных приборов при проектировании. Приводится описание моделей интенсивностей отказов КМОП ИС, учитывающих влияние ЭСР, и показано, что для электронных измерительных приборов, содержащих относительно небольшое количество таких микросхем, применение стандартизованной модели интенсивностей отказов, учитывающей влияние ЭСР, может привести к существенным погрешностям в расчётах надёжности. В качестве альтернативы предложена модель, ...
Добавлено: 13 октября 2016 г.
Учет влияния внешних воздействующих факторов при прогнозировании характеристик безотказности и долговечности электронной компонентой базы
Жаднов В. В., В кн.: Труды Международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО»: в 2 т.Т. 1.: Пенза: ПГУ, 2016. С. 13–18.
Рассмотрены вопросы исследования расчетной модели коэффициента, учитывающего степень жесткости условий эксплуатации в математических моделях интенсивностей отказов электрорадиоизделий, приведенных в отечественных справочниках по надежности. Показано, что использование статистических данных о распределении отказов электрорадиоизделий по видам внешних воздействий, а также результатов моделирования на ЭВМ конструкций радиоаппаратуры, позволяет в ряде случаев уточнить табличные значения коэффициента эксплуатации за счет ...
Добавлено: 27 мая 2016 г.
Charged Board Model ESD Simulation for PCB Mounted MOS Transistors
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947–954
Добавлено: 15 января 2016 г.
Влияние электростатических разрядов на показатели ремонтопригодности электронных средств
Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2015 № 4 С. 29–34
Показатели ремонтопригодности современных электронных средств в значительной степени зависят от характеристик надежности применяемой электронной компонентной базы. Воздействие катастрофических электрических перегрузок вследствие электростатических разрядов может привести к отказам интегральных схем, которые широко используются в электронных средствах. В статье рассматриваются вопросы оценки влияния электростатических разрядов на показатели ремонтопригодности электронных средств. ...
Добавлено: 26 октября 2015 г.
Оценка интенсивности отказов интегральных схем бортовой космической аппаратуры при воздействии электростатических разрядов
Абрамешин А. Е., Жаднов В. В., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2015).: М.: НИУ ВШЭ, 2015. С. 377–379.
Одной из возможных причин отказов интегральных схем ботовой космической аппаратуры является воздействие электростатических разрядов. В докладе рассматривается метод формирования математической модели интенсивности отказов интегральных схем и его применение для интегральных схем аппаратуры космических аппаратов, эксплуатируемых на геостационарных орбитах. ...
Добавлено: 19 октября 2015 г.
Электроразрядные процессы при облучении стекол К-208 и CMG электронами с энергией в диапазоне от 10 до 40 кэВ
Новиков Л. С., Хасаншин Р. Х., Гаценко Л. С. и др., Перспективные материалы 2015 № 1 С. 22–29
Представлены результаты сопоставительного анализа характеристик электростатических разрядов, возникающих на поверхности стекол К-208 и CMG при облучении их в вакууме электронами с энергиями в диапазоне 10-40 кэВ при плотности потока от 1010 до 2,5×1011 см-2с-1. Для обоих стекол наблюдались разряды, сопровождающиеся выбросом плазмы в окружающее пространство и образованием на поверхности микровыступов и разрядных каналов, однако условия ...
Добавлено: 30 августа 2015 г.
Разработка вычислительных схем, основанных на редукции математических выражений методов Эйлера, для расчета растекания токов по элементам конструкции космических аппаратов при электростатических разрядах
Борисов Н. И., Востриков А. В., Красивская М. И. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 2(49) С. 39–46
В работе разработаны новые редуцированные вычислительные схемы численного интегрирования системы линейных дифференциальных уравнений на основе методов Эйлера. При этом подвергается редукции не исходная модель в виде системы линейных обыкновенных дифференциальных уравнений, а математические выражения, определяющие явный и неявный методы Эйлера. С помощью новых вычислительных схем время расчета неизвестных величин в локальной области, обозначенной пользователем, было ...
Добавлено: 10 июня 2014 г.
Моделирование интенсивности отказов интегральных схем бортовой космической аппаратуры из-за воздействия электростатических разрядов
Абрамешин А. Е., Жаднов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 2 С. 27–34
Показатели безотказности бортовой космической аппаратуры в значительной степени зависят от характеристик надежности интегральных схем. Одной из возможных причин отказов интегральных схем является воздействие катастрофических электрических перегрузок вследствие электростатических разрядов. В статье рассматривается метод формирования математической модели интенсивности отказов интегральных схем и возможность его применения для интегральных схем аппаратуры космических аппаратов, эксплуатируемых на геостационарных или высокоэллиптических ...
Добавлено: 10 июня 2014 г.
Экспериментальное исследование формы тока ЭСР при разряде с печатной платой
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 1(48) С. 46–52
Рассматривается модель заряженной платы (CBM) — особый вид ЭСР по модели заряженного компонента (CDM). Подтверждено снижение порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР. Проведено экспериментальное исследование и моделирование формы тока ЭСР. Получено хорошее согласование экспериментальных и расчётных данных. ...
Добавлено: 6 июня 2014 г.
Влияние внешних возмущающих факторов на долговечность СВЧ-устройств
Карапузов М. А., Полесский С. Н., Жаднов В. В., Надежность и качество сложных систем 2014 № 2 С. 14–21
Обосновывается необходимость учета при оценке показателей долговечности деталей СВЧ-устройств, в том числе механических частей. Обычно при оценке показателей надежности и, в частности, показателей долговечности радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) учитывают только применяемую электронную компонентную базу, принимая все механические компоненты высоконадежными, не влияющими на результирующее значение показателей. Но механические детали могут подвергаться разрушению, которое является наиболее опасным проявлением ...
Добавлено: 3 июня 2014 г.
Экспериментальное исследование формы тока ЭСР при разряде с печатной платой
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 1(48) С. 46–52
Рассматривается модель заряженной платы (CBM) — особый вид ЭСР по модели заряженного компонента (CDM). Подтверждено снижение порога отказа электронных компонентов при CBM ЭСР. Проведено экспериментальное исследование и моделирование формы тока ЭСР. Получено хорошее согласование экспериментальных и расчётных данных. ...
Добавлено: 28 апреля 2014 г.
Charged Board Event Analysis Using Circuit Simulator for PCB Mounted MOSFET
Kusnetsov V. V., Kechiev L. N., , in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific–practical conference. Part 2* 2.: M.: HSE, 2014. P. 545–548.
Добавлено: 28 апреля 2014 г.
Исследование стойкости печатных узлов к воздействию электростатического разряда
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2013 № 1(44) С. 29–38
Проведено моделирование воздействия электростатического разряда на МОП-транзисторы, установленные на печатной плате. Результаты моделирования сравниваются с результатами испытаний тестовой печатной платы на воздействия ЭСР и проводится исследование воздействия печатной платы на порог отказа МОП-транзисторов при воздействии ЭСР по сравнению с их собственным порогом отказа. Обнаружено снижение порога отказа при ЭСР для транзисторов, установленных на печатной плате. ...
Добавлено: 3 мая 2013 г.
Испытательный стенд для определения помех от электростатических разрядов в кабелях космических аппаратов
Агапов В. В., Технологии электромагнитной совместимости 2009 № 2 С. 72–75
В работе представлен оригинальный испытательный стенд для определения помех от электростатических разрядов в кабелях космических аппаратов. Полученные при испытаниях коэффициенты трансформации тока в напряжение помех во фрагментах кабелей используются для расчетов уровня наводок на входах электронных блоков бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов. ...
Добавлено: 10 апреля 2013 г.
Разработка программы расчета коэффициента эксплуатации с учетом внешних воздействующих факторов
Гаршин А. А., Жаднов В. В., В кн.: Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. тр.: Красноярск: Сибирский федеральный университет, 2010. С. 304–307.
Работа посвящена разработке методов и средств оценки показателей надежности электронных средств с учетом дифференцированного влияния внешних воздействующих факторов. Были разработаны математическая модель коэффициента эксплуатации, программный модуль и специализированная база данных. Все созданное программное и информационное обеспечение интегрировано в состав программного комплекса АСОНИКА-К. ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
Развитие концепции нанопроводимости диэлектриков в отечественной космической технике
Абрамешин А. Е., Технологии электромагнитной совместимости 2012 № 3 С. 29–32
В работе изложены перспективы развития концепции нанопроводимости диэлектриков в отечественной космической технике. Сформулированы задачи по созданию безразрядных космических аппаратов и намечены пути решения этих задач. Приведены оценки необходимости и возможности технологического перехода к проектированию и изготовлению безразрядных космических аппаратов (КА) нового поколения на основе применения в бортовой радиоэлектронной аппаратуре КА нанопроводящих диэлектриков. Показано, что такой ...
Добавлено: 15 ноября 2012 г.
Приближенный метод расчета растекания токов по элементам конструкции космического аппарата при электростатических разрядах
Востриков А. В., Технологии электромагнитной совместимости 2010 № 2 (33) С. 75–79
В работе предложен приближенный метод ускоренного расчета растекания токов от электростатического разряда по поверхности космического аппарата. Приведены значения погрешностей применения данного подхода для решения задач большой размерности. ...
Добавлено: 21 октября 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору