Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов

Петросянц Константин Орестович; Кожухов Максим, Владимирович

Глава

Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов

С. 415-423.

Петросянц К. О., Кожухов М. В.

В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 671 Кб)

Ключевые слова: TCAD SiGe ГБТ Протонное излучение

Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)

В книге

Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов

Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.)

Под науч. редакцией: Г. Г. Бондаренко М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015.

SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure

Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.

Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены результаты моделирования статических и частотных характерстик SiGe ГБТ после воздействия протонов. Результаты моделирования хорошо согласуются с результатами измерений.

Добавлено: 21 октября 2012

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012

Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.

Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные параметры SiGe ГБТ (beta, gm, VA, fT, fmax и др.) менее чувствительны к воздействию перечисленных видов радиации, чем у кремниевых транзисторов. По фактору суммарной поглощённой дозы SiGe ГБТ имеют уникальные показатели стойкости, которые для приборов, изготовленных по последним уровням SiGe технологии, составляют 50-100 Мрад.

Добавлено: 18 сентября 2014

Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM

Петросянц К. О., Торговников Р. А. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

Предложена методика определения паразитных емкостей транзисторной структуры SiGe ГБТ для схемотехнических моделей с помощью САПР приборно-технологического моделирования.

Добавлено: 12 апреля 2012

Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD

Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013

Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора

Петросянц К. О., Торговников Р. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.

Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру нагрева на 30 К, а сопротивление Rt в 1.5 раза.

Добавлено: 19 апреля 2012