• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов

С. 415-423.
Петросянц К. О., Кожухов М. В.

В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов.