Глава
Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
С. 415-423.
В работе была представлена физическая модель для SiGe ГБТ, которая описывает изменение базового тока в результате облучения потоком протонов.
Язык:
русский
Полный текст (PDF, 671 Кб)
Публикация подготовлена по результатам проекта:
Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)