• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации

С. 23-26.

Представлена SPICE‑макромодели биполярного транзистора, учитывающей изменение входных и выходных характеристик Si БТ и SiGe ГБТ в результате воздействия различных видов радиации. Представлены результаты схемотехнического моделирования, которые совпадают с экспериментальными данными с точностью 10-15%.