TCAD-SPICE Analysis of SEU and Reliability in Space-Grade SRAM from 90 nm to 28 nm

В работе предложена и реализована усовершенствованная схема многоуровневого автоматизированного электротеплового моделирования мощных электронных компонентов с использованием программного обеспечения Comsol на уровне полупроводниковых приборов, Spice-моделирования на уровне принципиальных схем и системы «Асоника-ТМ» на уровне печатных плат. Описаны разработанные дополнительные программные средства для реализации предложенного маршрута, обеспечивающие автоматизацию процессов расчета мощностей компонентов мощных схем, передачи этих значений ...

Добавлено: 1 июля 2026 г.

TCAD Electrothermal Analysis of 3D GAAFET Structures for Future VLSI Circuits

Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.

Добавлено: 6 ноября 2025 г.

Электротепловое моделирование мощных схем с использованием ПО Python SPICE

Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879

Отработан алгоритм ускоренного получения электротепловых характеристик силовых схем с помощью ПО Python. Приведены результаты электротепловых расчетов для ряда силовых схем с ускоренным процессом получения их тепловых характеристик с использованием стандартного маршрута электротеплового SPICE-анализа. ...

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией

Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786

Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...

Добавлено: 14 февраля 2025 г.

Применение метода молекулярной динамики в задачах прогнозирования поведения материалов инженерных барьеров безопасности ПЗРО

Болдырев К. А., Глушак А. А., Писарев В. В. и др., Радиоактивные отходы 2024 № 3 С. 83–95

В статье рассматриваются мировой и российский опыт использования методов атомистического моделирования вещества для изучения свойств глинистых и цементных материалов с целью обоснования долговременной безопасности пунктов захоронения радиоактивных отходов (ПЗРО). Приводится общая характеристика метода молекулярно-динамического моделирования и примеры решаемых с его помощью задач. Обсуждается точность получаемых параметров и коэффициентов и возможность их встраивания в многомасштабные модели ...

Добавлено: 30 сентября 2024 г.

Реализация цифровых двойников для мощных МОП-транзисторов с помощью ПО Python

Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751

В работе описана программа на языке Python, реализующая цифровые двойники мощных МОП-транзисторов. Описаны структура и интерфейс этой программы, воспроизводимые статические, динамические и тепловые характеристики МОПТ, другие возможности программы. Возможности программы продемонстрированы на примере отечественных мощных МОП-транзисторов 2П829Д и 2П782Ж1. ...

Добавлено: 3 сентября 2024 г.

Оценка средствами TCAD стойкости ячеек памяти СОЗУ к воздействию ОЯЧ при уменьшении проектных норм до 28 нм

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312

В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...

Добавлено: 3 сентября 2024 г.

Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837

С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...

Добавлено: 11 января 2024 г.

Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling

Петросянц К. О., Denis S. Silkin, Попов Д. А., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293

Добавлено: 30 октября 2022 г.

AMn2O4 spinels (A - Li, Mg, Mn, Cd) as ORR catalysts: The role of Mn coordination and oxidation state in the catalytic activity and their propensity to degradation

Dosaev K. A., S.Ya. Istomin, Strebkov D. A. и др., Electrochimica Acta 2022 Vol. 428 Article 140923

Добавлено: 31 августа 2022 г.

Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells

K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 13 июля 2022 г.

Relationship between the Expression Level of PSMD11 and Other Proteasome Proteins with the Activity of Ricin and Viscumin

Maltseva D. V., Raigorodskaya M. P., Tikhonova O. V. и др., Doklady Biochemistry and Biophysics 2020 Vol. 493 No. 1 P. 198–200

Добавлено: 1 февраля 2021 г.

TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures

K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.

Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Оценка почвенных свойств при мониторинге земель на регионально-локальном уровне

Замотаев И. В., Белобров В. П., Юдин С. А. и др., Научные ведомости Белгородского государственного университета. Серия: Естественные науки 2018 Т. 42 № 2 С. 172–180

Представлены результаты исследований почв агроландшафтов Льговского района Курской области. Показано, что большая часть серых лесных почв и черноземов, вовлеченных в активное сельскохозяйственное землепользование, деградирует. Это проявляется в развитии процессов плоскостной и линейной эрозии, снижении содержания гумуса и мощности гумусированной толщи почв, формировании подплужного уплотнения, изменении структуры, снижении водоустойчивости агрегатов. В результате были выделены агрогенно-деградационный и ...

Добавлено: 1 декабря 2020 г.

Взаимосвязь уровня экспрессии PSMD11 и других белков протеасомы с уровнем инактивации рибосом рицином и вискумином

Мальцева Д. В., Райгородская М. П., Тихонова О. В. и др., Доклады академии наук. Науки о жизни 2020 Т. 493 С. 373–375

В работе исследовалась роль белков протеасомы и системы ERAD в цитотоксичности рибосом- инактивирующих белков второго типа рицина и вискумина. Для этого использовали клеточную ли- нию колоректальной аденокарциномы НТ29 и полученную на ее основе линию HT29-sh002 с изме- ненной экспрессией этих белков клетки. Было показано, что вклад протеасомы в деградацию ката- литических А-субъединиц рицина и вискумина ...

Добавлено: 14 октября 2020 г.

The transformation and degradation of Nafion® solutions under ultrasonic treatment. The effect on transport and mechanical properties of the resultant membranes

Сафронова Е., Pourcelly G., Ярославцев А. Б., Polymer Degradation and Stability 2020 Vol. 178 P. 109229

This work addresses the study of the effect of ultrasonic (US) treatment on the properties of alcohol solutions of perfluorinated sulfonic acid polymer Nafion® and cast membranes. The effect of the duration of US treatment on the physico-chemical properties (water uptake, transport and mechanical properties) of the resulted membranes is described for the first time. ...

Добавлено: 31 августа 2020 г.

Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide

Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467–469

Добавлено: 24 марта 2020 г.

Wetland change detection in protected and unprotected Indus coastal and inland Delta

Baig M. H., Sultan M., Khan M. R. и др., International Archives of the Photogrammetry, Remote Sensing and Spatial Information Sciences - ISPRS Archives 2017 Vol. 2 No. 7 P. 1495–1501

Добавлено: 3 октября 2019 г.

I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Pugachev A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1353 No. 1 P. 1–7

The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction ...

Добавлено: 10 июня 2019 г.

Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide

Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019).: Barcelona: International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24–28.

Добавлено: 4 июня 2019 г.

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.

Добавлено: 31 мая 2019 г.

Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404–405

Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...

Добавлено: 30 января 2019 г.