• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Книга

Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2d полупроводниковых гетероструктурах при поглощении инфракрасного и терагерцового диапазонов

Кн. 978-5-4263-0145-0. М.: МПГУ, 2014.
Смирнов К. В., Чулкова Г. М., Корнеев А. А., Гольцман Г. Н., Вахтомин Ю., Окунев О., Дивочий А., Семенов А.

В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии.

Особенности разогрева и релаксации горячих электронов в тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах и 2d полупроводниковых гетероструктурах при поглощении инфракрасного и терагерцового диапазонов