• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Morphology transformation of InGaN nanowires grown on Si substrate by PA-MBE
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
6 ноября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали новый инструмент для речевой терапии после инсульта
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург совместно с коллегами из отделения нейрореабилитации Федерального Сибирского научно-клинического центра ФМБА в Красноярске разработали корпус упрощенных текстов для пациентов с афазией разной степени тяжести. Клинические исследования показали, что материалы по актуальным тематикам мотивируют активнее заниматься восстановлением речи после инсульта. Исследование опубликовано в журнале Aphasiology.
3 ноября 2026 г.
Физики научили ИИ настраивать пучок частиц в ускорителе
Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ и Института ядерной физики СО РАН разработали RLABC — программу, которая помогает подбирать оптимальные настройки ускорителя частиц с помощью обучения с подкреплением. В компьютерном эксперименте программа настроила модель так, что до конца ускорителя доходило около 70% частиц. Исследование опубликовано в журнале Computer Physics Communications.
3 ноября 2026 г.
«Органы на чипе позволяют проверять лекарства без экспериментов на животных»
Лаборатория молекулярной физиологии факультета биологии и биотехнологии НИУ ВШЭ изучает, как молекулярные регуляторы (микроРНК) управляют работой генов и влияют на развитие болезней — онкологических, вирусных и воспалительных, а также осложнений беременности. В Вышке выращивают модели органов человека на чипе: крошечные устройства с живыми клетками, воспроизводящие работу, например, плаценты или кишечника. Модели помогают понять, как возникают болезни и как на них действуют лекарства. «Вышка.Главное» побеседовала с заведующим лабораторией Евгением Князевым.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Morphology transformation of InGaN nanowires grown on Si substrate by PA-MBE

Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2086. Article 012013.
Gridchin V. O., Драгунова А. С., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Komarov S.D., Крыжановская Н. В., Soshnikov I. P., Samsonenko Y. B., Cirlin G. E.
Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: InGaNмолекулярно-пучковая эпитаксияmolecular beam epitaxynanowireInGaNнитевидный нанокристалл
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Исследование температурных и временных характеристик гетероструктур с квантовыми точками и микроизлучателей на их основе (2021)
Похожие публикации
Visibility function and Stokes parameter analysis for non-ideal quarter-wave plates in a polarization contrast scheme
Kupavskii S. A., Malikov R. O., Dyakov S. A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 161105
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Energy relaxation in superconducting single-crystal TiN films probed by flux-flow instability
Баева Э. М., Titova N. A., Kirsanova M. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 19 Article 194513
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Casimir force screening by a quantum Boltzmann plasma
Брандышев П. Е., Конюшенко М. Н., Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16
Мы разрабатываем теоретико-полевое описание взаимодействия Казимира при конечной температуре между двумя идеально проводящими границами, разделенными промежутком, заполненным двухкомпонентной квантовой больцмановской плазмой, погруженной в однородную диэлектрическую среду. Квантовое движение заряженных частиц представлено в виде мировых линий в мнимом времени, а электромагнитное поле рассматривается в гауссовом приближении. Полученная статистическая сумма содержит отдельные вклады продольных и поперечных откликов, ...
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Spectral structure of the mixed Hessian of the dispersionless Toda τ-function
Алексеев О. В., Letters in Mathematical Physics 2026 Vol. 116 No. 5 Article 132
Добавлено: 5 ноября 2026 г.
Modelling optimal implementation of an arbitrary N-qubit quantum gate within the generalized Bloch vectors formalism
Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Gerstner gravity-capillary waves and their collapse mode
Абрашкин А. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 No. 8 Article 083624
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Vague Stimulating Ideas, Images and Metaphors in Scientific Thinking: Researchers’ Work with Horizons of Unclear Knowledge
Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Microdisk lasers with a bridge contact pad formed by wet chemical etching
Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Excitation-dependent photoluminescence and room-temperature whispering gallery mode lasing in InGaN/GaN microdisks on sapphire
Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Algorithmic overlaps in the Baxter–Wu model: cluster dynamics under Novotny–Evertz updates
Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706
Добавлено: 1 ноября 2026 г.
Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity
Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods
Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616
Добавлено: 28 октября 2026 г.
PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics
Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Low-energy collective excitations in a gold monolayer, Vyacheslav Silkin and Maxim Kagan Working papers by Cornell University Series cond-mat other “arxiv org” 2610. 31805 22 Oct. 2026
Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.
Аннотация   Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...
Добавлено: 27 октября 2026 г.
From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics
Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796
Добавлено: 26 октября 2026 г.
On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases
Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168
Добавлено: 26 октября 2026 г.
Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator
D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 23 октября 2026 г.
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Superconducting bistability in floating Al islands of hybrid Al/InAs nanowires
E. V. Shpagina, E. S. Tikhonov, Ruhstorfer D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 14 Article L140503
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237
Добавлено: 14 мая 2025 г.
Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots
Solodovnik M. S., Kirichenko D., Dukhan D. и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 688 Article 162373
Добавлено: 21 января 2025 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору