Hydrogenation-controlled band engineering of dumbbell graphene

В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355

Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency

Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures

Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978

Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers

Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers

Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot

Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554

Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Методы детектирования взрывоопасных концентраций водорода: сравнительный анализ и преимущества оптических сенсоров

Кузьминых И. О., Кузин А. Ю., Флоря И. Н. и др., Нано- и микросистемная техника 2025 Т. 27 № 4 С. 184–194

В работе рассмотрены основные варианты детектирования водорода, а также приведены требования, которые предъявляются к сенсорам водорода. Проанализированы преимущества и недостатки существующих решений по детектированию водорода и проведен сравнительный анализ основных метрик коммерчески доступных сенсоров водорода. Было установлено, что оптические сенсоры преодолевают основную проблему существующих сенсоров – использование электрического тока в чувствительной зоне сенсоров. Данная обзорная ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene

Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068

Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Catalytic Hydrogenation of Carbon Dioxide as a Method to Produce Valuable Chemicals

Makaryan I. A., Седов И. В., Savchenko V. I., Catalysis in Industry 2024 Vol. 16 No. 1 P. 14–38

Добавлено: 24 февраля 2025 г.

Non-trivial evolution of the Dirac cone in chromium doped Dirac semimetal Cd3As2

Kulatov E. T., Uspenskii Y. A., K.I. Kugel, Journal of Physics and Chemistry of Solids 2024 Vol. 194 Article 112215

Добавлено: 29 декабря 2024 г.

Geopolitics and the changing landscape of global value chains and competition in the global semiconductor industry: Rivalry and catch-up in chip manufacturing in East Asia

Wong C., Yeung H. W., Huang S. и др., Technological Forecasting and Social Change 2024 Vol. 209 Article 123749

This paper examines the changing landscape of GVCs and competition in the global semiconductor industry in the context of new geopolitics featured by the United States implementing “chokepoint” measures to limit the rise of semiconductor manufacturing in China. Overall, the paper finds that these US measures, like the IRA and CHIPS act, will have important ...

Добавлено: 17 сентября 2024 г.

Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs

Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928

Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.

Каталитическое гидрирование СО2 как способ получения ценных химических продуктов

Макарян И. А., Седов И. В., Савченко В. И., Катализ в промышленности 2023 Т. 23 № 4 С. 6–32

Представлен обзор, посвященный обобщению и сравнительному анализу литературных данных последних лет по исследованиям в области конверсии диоксида углерода в метанол, диметиловый эфир и углеводороды С2+, включая олефины, путем каталитического гидрирования. Показано, что основными путями достижения высокой активности и селективности таких процессов являются направленный дизайн катализаторов и подбор условий проведения процессов гидрирования, в том числе с ...

Добавлено: 28 февраля 2024 г.

ГИДРИРОВАНИЕ СМЕСИ МАГНИЯ С ВАНАДИЕМ

Фокин В. Н., Фурсиков П. В., Фокина Э. Э. и др., Журнал прикладной химии 2022 Т. 95 № 7 С. 919–923

С целью оптимизации условий гидрирования Mg — перспективного материала для систем хранения водорода — и нахождения новых путей получения MgH2 исследовано взаимодействие смесей коммерческого Mg с 10–50 мас% V в виде порошков с размером частиц 200 мкм с высокочистым водородом под давлением 3 МПа в температурном интервале 350–380ºC. Установлено влияние активирующей добавки V в количестве 10–20 мас% на процесс ...

Добавлено: 24 января 2023 г.

XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.

Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...

Добавлено: 7 декабря 2022 г.

Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах

Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746

Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...

Добавлено: 10 ноября 2022 г.

Shaginyan V. R., Msezane A. Z., Japaridze G. S. и др., Materials 2022 No. 15(11) Article 3901

Добавлено: 27 октября 2022 г.

2022 International Conference Laser Optics (ICLO)

IEEE, 2022.

Добавлено: 27 сентября 2022 г.