?
Создание нарушенных слоев в кремнии для управления характеристиками p-i-n-фотодиодов
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2001. № 1. С. 16-19.
Смирнов И. С., Сахарова И. Г., Астахов В. П., Кузнецов Н. В., Соловьев Г. Г., Сорокин К. В.
Изучено влияние протонного облучения и температуры последующего отжига на толщину, среднюю относительную деформацию кристаллической решетки, профили распределения удельного сопротивления вблизи поверхности тестовых кристаллов, а также на обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-i-n-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Обнаружено формирование компенсированного дефектного слоя в области пробега протонов непосредственно после облучения и после отжига при температурах до 200 С.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
Вербус В. А., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е. и др., Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51 № 12 С. 1599-1604
В работе для растворов КОН и HF : H2O2 : CH3COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH ...
Добавлено: 15 февраля 2018 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 3 С. 66-69
В работе исследован процесс трансформации радиационных дефектов, формируемых имплантацией протонов в кристаллы кремния n-типа с удельным сопротивлением 100 Ом.см. Измерения проведены методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Показано, что последовательная имплантация протонов с энергиями 100+200+300 keV и флюенсом 2*1016sm-2 приводит к образованию нарушенного слоя толщиной 2.4 мкм с увеличенным параметром кристаллической решетки , который формируется одновременно присутствующими ...
Добавлено: 15 ноября 2013 г.
Skorokhodov E., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 32 P. 19806-19811
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V.M., Andryushechkin B. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 23 P. 235410-235410
Добавлено: 16 ноября 2020 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
Болдырев К. Н., Романов А., Хаула Е. и др., Journal of the American Ceramic Society 2019 Vol. 102 No. 5 P. 2745-2751
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Казанцев Д. В., Казанцева Е. А., Кузнецов Е. В. и др., Известия РАН. Серия физическая 2017 Т. 81 № 12 С. 1709-1714
Описаны принципы работы безапертурного сканирующего микроскопа ближнего оптического поля (ASNOM). Зондом в приборе служит металлизированная игла атомно-силового микроскопа, и оптическое взаимодействие с объектами на поверхности локализовано вблизи ее острия размером в несколько нанометров. Тело иглы имеет длину в несколько микрон, и это обеспечивает высокую эффективность ее электромагнитного взаимодействия с падающими на нее извне и излучаемыми ...
Добавлено: 6 декабря 2020 г.
M. : Faculty of Physics, MSU, 2017
The Low Temperature Physics Conference is an international event held every three years, under the auspices of the IUPAP through its Commission C5 on Low Temperature Physics. The aim of these conferences is to exchange information and views among the members of the international scientific community in the general field of Low Temperature Physics. It ...
Добавлено: 1 октября 2017 г.
Будков Ю. А., Kolesnikov A. L., Polymer Science - Series C 2018 Vol. 60 No. Supplement 1 P. 148-159
Представлен критический анализ теоретических моделей конформационного поведения гибких
полимерных цепей в смешанных растворителях, сформулированных в мировой литературе за последние десять лет. Освещены модели, описывающие различные механизмы переходов клубок–
глобула в хорошем растворителе, индуцированных добавкой сорастворителя. Особое внимание уделено анализу теоретических подходов к описанию коллапса полимерных цепей в бинарных смесях
хороших растворителей. Обзор адресован исследователям, работающим в области физики ...
Добавлено: 30 ноября 2018 г.
Antipov A., Seleznev V., Vakhtomin Y. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2020 Vol. 781 No. 1 P. 012011-1-012011-5
Spectral characteristics of WSi and NbN superconducting single-photon detectors with different surface resistance and width of nanowire strips have been investigated in the wavelength range of 1.3-2.5 µm. WSi structures with narrower strips demonstrated better performance for detection of single photons in longer wavelength range. The difference in normalized photon count rate for such structures ...
Добавлено: 10 декабря 2020 г.
Добавлено: 25 февраля 2020 г.
Бланк В. Д., Болдырев К. Н., Денисов В. Н. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 102 P. 115153-1-115153-10
Добавлено: 22 октября 2020 г.
Ермилов А. И., Ивашов Е. Н., Международный журнал экспериментального образования 2014 № 1 С. 98-101
Разработаны устройства наноперемещений с зондами, выполняющие операции, необходимые для формирования квантовых точек. Показаны варианты выполнения устройств. ...
Добавлено: 20 января 2014 г.
Kuzmin N. N., Maltsev V. V., Volkova E. A. и др., Inorganic Materials 2020 Vol. 56 No. 8 P. 828-835
Исследованы и оптимизированы условия спонтанной раствор-расплавной кристаллизации
TbCr3(BO3)4. Изучены фазовые соотношения в псевдотройной системе TbCr3(BO3)4–K2Mo3O10–
B2O3 в интервале температур 1130–900°С. Выявлена зона однофазной кристаллизации тербийхромового бората. Показано, что с увеличением содержания TbCr3(BO3)4 в исходном растворе-расплаве его ромбоэдрическая модификация меняется на моноклинную. Из растворов-расплавов на
основе K2Mo3O10 получены однофазные или со значительным преобладанием ромбоэдрической
формы (пр. гр. R32) над моноклинной ...
Добавлено: 22 октября 2020 г.
K. I. Kugel, Bianconi A., Poccia N. и др., Superconductor Science and Technology 2015 Vol. 28 No. 2 P. 024005-1-024005-8
Добавлено: 12 марта 2016 г.
Dziom V., Shuvaev A. V., Щепетильников А. В. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 4 Article 045305
Добавлено: 11 декабря 2020 г.
Демин А. С., Масляев С. А., Пименов В. Н. и др., Физика и химия обработки материалов 2017 № 6 С. 5-17
Изучено влияние облучения в установке Плазменный фокус PF-1000 экстремальными энергетическими потоками быстрых ионов дейтерия (Ei≈100 кэВ, плотность мощности qi≈1011-1012 Вт/см2, длительность импульса ti≈10-50 нс) и дейтериевой плазмы (qpl≈109- 1010 Вт/см2, tpl≈50-100 нс) на структуру поверхностного слоя молибденовой пластины с учетом его плавления, частичного испарения и закалки расплава. На облученной поверхности обнаружено образование капельных структур, пор, ...
Добавлено: 25 декабря 2017 г.
Kuzmichev S. A., Kuzmicheva T. E., Tchesnokov S. N. и др., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2016 Vol. 29 No. 4 P. 1111-1116
We present temperature dependences of the large and the small superconducting gaps measured directly by SnS-Andreev spectroscopy in various Fe-based superconductors and MgB2. The experimental L,S(T ) are wellfitted with a two-gap model based on Moskalenko and Suhl system of equations (supplemented with a BCSintegral renormalization). From the fitting procedure, we
estimate the key attribute of ...
Добавлено: 19 марта 2016 г.
Терехович В. Э., Эпистемология и философия науки 2019 Т. 56 № 1 С. 169-184
Анализ представлений о реальности ненаблюдаемых объектов квантовой теории не укладывается в рамки оппозиции реализм – анти-реализм. Во-первых, необходимо различать реализм в отношении к теории и в отношении ее объектов. Во-вторых, реализм в отношении классических объектов может совмещаться, как с реализмом, так и с анти-реализмом в отношении квантовых объектов. В-третьих, понятия «существование» и «объективная реальность» могут ...
Добавлено: 12 февраля 2020 г.