• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Создание нарушенных слоев в кремнии для управления характеристиками p-i-n-фотодиодов

Смирнов И. С., Сахарова И., Астахов В., Кузнецов Н., Соловьев Г., Сорокин К.

Изучено влияние протонного облучения и температуры последующего отжига на толщину, среднюю относительную деформацию кристаллической решетки, профили распределения удельного сопротивления вблизи поверхности тестовых кристаллов, а также на обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-i-n-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Обнаружено формирование компенсированного дефектного слоя в области пробега протонов непосредственно после облучения и после отжига при температурах до 200 С.