?
Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 4. С. 32–35.
Минтаиров С. А., С.А. Блохин, Калюжный Н. А., М.В. Максимов, Малеев Н. А., А.М. Надточий, Салий Р. А., Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямы-
точки. Продемонстрирована полоса пропускания 8.2GHz по уровню −3 dB на длине волны 905 nm. Пока-
зано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы
с полосой пропускания до 12.5GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ям-
точек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5V.
Мелентьев П. Н., Калмыков А. С., Гритченко А. С. и др., Успехи физических наук 2024 Т. 194 № 11 С. 1130–1145
Представлен краткий обзор достигнутого уровня оптических методов детектирования единичных молекул в биомедицинских приложениях. Показано, что регистрация флуоресценции единичных молекул красителей, ковалентно связанных с антителами (биомолекулами), совместно с использованием современных методов нанофотоники может быть применена для решения различных задач в биологии и медицине: визуализации биомолекул, токсинов, вирусных частиц, определения ультранизких концентраций аналитов напрямую во взятой пробе, ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506
Добавлено: 20 мая 2026 г.
Сообщено о разработке системы регистрации спектров на ПЗС-линейке для уникального ВУФ спектрометра, построенного на основе сферической дифракционной решетки с радиусом 6.65 m. Была использована линейка HAMAMATSU S11156-2048-02, которая устанавливалась по касательной к окружности Роуланда с возможностью механического перемещения для сканирования спектра. Были получены спектрограммы в диапазоне длин волн 2130-2270 Angstrem. Описана методика сшивки регистрируемых спектральных ...
Добавлено: 20 мая 2026 г.
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Rathish S., Andrey S. Vasenko, Thazhathenair A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
I. V. Kolokolov, V. V. Lebedev, Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 No. 5 Article 054117
Добавлено: 15 мая 2026 г.
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Arbenin A. Y., Petrov A. A., Nazarov D. V. и др., Procedia Structural Integrity 2023 Vol. 50 P. 27–32
Добавлено: 30 января 2025 г.
Mitin D. M., Pavlov A., Fedorov F. S. и др., Sensors and Actuators, B: Chemical 2024 Vol. 417 Article 136095
Добавлено: 30 января 2025 г.
Tang J., Xia Z., Bin Q. и др., Optica 2024 Vol. 11 No. 8 P. 1103–1112
Добавлено: 8 ноября 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7
Добавлено: 23 августа 2023 г.
Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Махов И. С. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 3 С. 202–206
Исследованы статические и динамические характеристики волноводных фотодетекторов c поглощающей областью на основе InGaAs/GaAs квантовых ям-точек при комнатной температуре. Спектральная полоса поглощения InGaAs/GaAs квантовых ям-точек лежит в диапазоне от 900 до 1100 нм. Фотодетектороы полосковой формы имеют ширину 50 мкм и длину поглощающей области от 92 мкм до 400 мкм. Получено низкое значение плотности темнового тока ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.