• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Multilevel current stress technique for investigation thin oxide layers of MOS structures

Andreev V. V., Bondarenko G., Maslovsky V. M., Stolyarov A. A.

В работе предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования тонких оксидных слоев МОП (металл-окисел-полупроводник) структур. Метод позволяет изучать генерацию и релаксацию положительных и отрицательных зарядов в нанотолщинном подзатворном диэлектрике МОП-структуры в различных стрессовых ситуациях. Параметры, характеризующие изменение зарядового состояния  тонких оксидных слоев МОП - структур в процессе инжекции  контролировались с помощью измерения временной зависимости падения напряжения, приложенного к образцу. В сравнении с известными методами, предложенный в данной работе метод является неразрушающим, обеспечивает более высокую точность и уменьшает возможность  электрического пробоя диэлектрика. С использованием данного метода в работе выполнено исследование зарядовой генерации и релаксации во время и после сильнополевой туннельной инжекции электронов в тонкой пленке двуокиси кремния. Исследовано также влияние плазменного и радиационного воздействий на тонкие оксидные слои МОП-структур.