• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Электронно-стимулированный массоперенос в системе бор-кремний

Артамонов А. В., Бондаренко Г. Г., Якункин М. М.

Исследовано влияние облучения системы B-Si электронами с энергией 8 МэВ на образование диффузионной зоны и тепловую проводимость границы раздела. Показано, что коэффициент диффузии бора в кремний при облучении при температуре 1200 K на порядок выше, чем без облучения, а величина тепловой проводимости близка к значению, характерному для идеального теплового контакта.