• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Кинетика установления стационарного состояния на границе раздела фаз в системах W-Si и W-UN при облучении высокоэнергетическими электронами

Бондаренко Г. Г., Булатов Г. С., Гедговд К. Н., Якункин М. М.

 

По величине тепловой проводимости исследована кинетика установления стационарных значений  границы раздела фаз   в системах W(10мкм)-Si(0,7мм) и W(10мкм)-Un(1мм)     при облучении электронами с энергией 8 МэВ при температуре 300К. Подтверждено существование аномального массопереноса в направлении, обратном направлению движения электронов в пучке. Показано, что образование диффузионной зоны приводит к росту тепловой проводимости  границы раздела до значений 100 Вт/(см2К), соответствующих идеальному тепловому контакту.