?
Terahertz photoluminescence of the donor doped GaAs/AlGaAs quantum wells controlled by the near-infrared stimulated emission
Journal of Luminescence. 2019. Vol. 210. P. 352-357.
Makhov I. S., Panevin V. Y., Firsov D. A. и др., Journal of Applied Physics 2019 Vol. 126 No. 17 Article 175702
Добавлено: 15 октября 2021 г.
Иванов С. В., Chernov M. Y., Solov'ev V. A. и др., Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 2019 Vol. 65 No. 1 P. 20-35
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Борщевская Н. А., Катамадзе К. Г., Кулик С. П. и др., Optics Letters 2017 Vol. 42 No. 15 P. 2874-2877
Исследованы причины люминесценции в германо-силикантных световодах с концентрацией германия ~ 30 мол% в диапазоне длин волн 1-2 микрона при накачке с длиной волны 532 нм. Найдено, что в таких световодах уровень люминесценции очень высок, что препятствует наблюдению триплетов фотонов, генерируемых в третьем порядке спонтанного параметрического рассеяния. Единственный доступный метод уменьшения уровня люминесцеции - это насыщение ...
Добавлено: 24 февраля 2018 г.
Firsov D. D., Komkov O. S., Solov’ev V. A. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 4 P. 910-916
Добавлено: 25 февраля 2021 г.
Ю.Е. Лозовик, Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 11 С. 1203-1208
Рассматриваются новые эффекты в системах квантовых диполей: анизотропная сверхтекучесть во внешних полях, эффекты сильных корреляций и кристаллизация, фаза суперсолида. Анализируются эффекты ротонной неустойчивости, типичные для сильно коррелированных бозе-систем, но проявляющиеся в слабо взаимодействующей системе наклонных диполей. Интересными физическими реализациями рассматриваемых систем являются дипольные экситоны в связанных квантовых ямах либо в одиночной квантовой яме в сильном ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 10 С. 1360-1365
Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур на подложках SOI (silicon-on-insulator) и исследованию их оптических свойств. Свободновисящие Ge структуры были получены с помощью оптической литографии, плазмохимического и селективного химического травления с использованием метода "концентрации напряжений". Для обеспечения теплоотвода от Ge микроструктур схема их формирования была модифицирована таким образом, чтобы обеспечить механический контакт подвешенной части ...
Добавлено: 24 октября 2019 г.
Кузнецов В. А., Кулик Л. В., Журавлёв А. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2018 Т. 107 № 2 С. 104-107
В спектре фотолюминесценции двумерного электронного газа в квантующем магнитном поле, при факторе заполнения электронов ν=2, в условиях фотовозбуждения неравновесного ансамбля циклотронных магнитоэкситонов, обнаружены новые линии. Их энергия лежит в области, запрещенной для одночастичных оптических переходов: в диапазоне переходов из возбужденных состояний трехчастичных трансляционно-инвариантных комплексов - магнитотрионов. Предполагается, что новые линии связаны со сложным спектром внутреннего движения ...
Добавлено: 22 января 2018 г.
Sviridov D. E., Jmerik V. N., Rouvimov S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1-5
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Fedorov A. D., Kharin N. Y. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020 Vol. 1482 P. 1-4
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Natalia A. Lozing, Maxim G. Gladush, Eremchev I. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 102 Article 060301
В работе обнаружено необычное явление, которое проявляется как сильное (до порядка величины) обратимое увеличение интенсивности фотолюминесценции в микроалмазе с Ge-V центрами, синтезированном с помощью метода высокого давления и высокой температуры. Каждое усиление и ослабление до начального уровня интенсивности излучения происходит как переходный процесс, который развиваются на масштабах секунд. Такие вспышки имеют тенденцию повторяться бесконечно в ...
Добавлено: 4 февраля 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2020 Vol. 124 Article 114301
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Болдырев К. Н., Романов А., Хаула Е. и др., Journal of the American Ceramic Society 2019 Vol. 102 No. 5 P. 2745-2751
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Novikov I., Надточий А. М., Potapov A. Y. и др., Journal of Luminescence 2021 Vol. 239 Article 118393
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Шураков А. С., Беликов И. И., Приходько А. Н. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2023 Vol. 13 No. 10 Article 5892
Добавлено: 11 мая 2023 г.
Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V. и др., Materials 2020 No. 13 P. 1-29
Добавлено: 13 ноября 2020 г.
Добавлено: 27 сентября 2021 г.
Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Danilov V. V. и др., Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal) 2022 Vol. 89 No. 5 P. 298-301
Предмет исследования. В работе исследована фотолюминесценция гибкой пленочной структуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, внедренных в полимеризованный слой триоктилфосфин оксида с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в зависимости от интенсивности возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре. Метод. Нитевидные нанокристаллы были синтезированы на подложке Si (III) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке Compact 21 фирмы ...
Добавлено: 26 сентября 2022 г.
Добавлено: 14 марта 2022 г.
Кукушкин И. В., Ваньков А. Б., Solovyev V., Applied Physics Letters 2015 No. 106 P. 082102-1-082102-4
Методами фотолюминесценции и отражения проведено исследование оптических переходов в квазидвумерных электронных системах, сформированных на гетеропереходе Mg_{x}Zn_{1-x}O/ZnO. Были обнаружены и исследованы переходы между состояниями A- и B-дырок и электронов с двух нижайших подзон размерного квантования. В диапазоне электронных концентраций 1.9-6.5x10^{11} см^{-2} измерено межподзонное расщепление в зоне проводимости и показано, что первая возбужденная подзона не заполнена электронами. ...
Добавлено: 21 октября 2016 г.
Toropov A. A., Evropeitsev E. A., Nestoklon M. O. и др., Nano Letters 2020 Vol. 20 No. 1 P. 158-165
Добавлено: 19 февраля 2021 г.