?
Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.
Петросянц К. О., Торговников Р. А.
Проведена оценка влияния диэлектрической щелевой изоляции на тепловой режим SiGe ГБТ. Исследовалась структура SiGe ГБТ с размерами эмиттера 0.2х1.0 мкм с параметрами βmax=400, fmax=160 ГГц. С помощью приборно-технологической САПР рассчитаны характеристики 3-х структуру: без изоляции; с мелкой щелевой изоляцией; с мелкой и глубокой щелевой изоляцией. Показано, что в рабочем режиме наличие щелевой изоляции увеличивает температуру нагрева на 30 К, а сопротивление Rt в 1.5 раза.
Манохин А. И., Шалумов А. С., Шалумова Н. А., Ковров : Ковровская государственная технологическая академия, 2004
Рассмотрены вопросы моделирования тепловых процессов при проектировании технических объектов на примере радиоэлектронных средств. Представлена методика построения моделей тепловых процессов радиоэлектронных средств, освещены некоторые особенности моделирования тепловых процессов в печатных узлах, использование симметрии при построении моделей, особенности моделирования нестационарных тепловых процессов в коммутационных изделиях. Приведен обзор программ, реализованных в рамках концепции «АСОНИКА-Т», даны методологические вопросы моделирования ...
Добавлено: 1 февраля 2013 г.
Харитонов И. А., Александрова А. Б., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286-288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Добавлено: 5 декабря 2016 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648-651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Кожевников А. М., Громов И. Ю., Науковедение 2014 № 4 С. 1-13
В данной работе предлагается метод, позволяющий расширить систему автоматизированного проектирования, в которой производится разработка радиоэлектронной аппаратуры и автоматизировать процесс выбора как систем терморегулирования и термостатирования для электрорадиоизделий и приборного блока, так и их параметров. Такой процесс одновременно структурной и параметрической оптимизации определяется как синтез систем обеспечения теплового режима. В качестве рассматриваемого класса выбраны бортовые и ...
Добавлено: 6 марта 2015 г.
Семененко А. Н., Керре П. О., Роткевич А. С. и др., Динамика сложных систем 2013 Т. 7 № 1 С. 35-41
Рассмотрен пример использования системы АСОНИКА при проектировании радиоэлектронных средств. Представлена постановка задачи и показаны этапы её решения. ...
Добавлено: 19 ноября 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 -2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Добавлено: 8 октября 2016 г.
Рассмотрены вопросы моделирования тепловых процессов проектирования, испытаниях и контроле качества радиоэлектронных средств. Представлена методика построения моделей тепловых процессов радиоэлектронных средств, освещены некоторые особенности моделирования тепловых процессов в печатных узлах, использование симметрии при построении моделей, особенности моделирования нестационарных тепловых процессов в коммутационных изделиях. Приведен обзор программ, реализованных в рамках концепции «Асоника-Т», даны методологические вопросы моделирования и ...
Добавлено: 30 января 2013 г.
Истратов А. Ю., Хоменко И. И., Погодин А. В. и др., Вестник НПО им. С.А. Лавочкина 2017 № 4 С. 68-75
Рассматривается подход к прогнозированию температурных показателей оборудования космического аппарата (КА) в ходе выполнения научной программы для предотвращения перегрева. Предлагаются алгоритмы обработки данных, накопленных в ходе эксплуатации КА для определения температурных значений компонентов в указанные моменты времени. Представляется реализация программного комплекса. Проведенные эксперименты подтвердили возможность выявления аномальных тепловых режимов эксплуатации КА. ...
Добавлено: 12 января 2018 г.
В статье представлена методика применения системы АСОНИКА при моделировании тепловых процессов блоков и печатных узлов. В статье также представлен пример расчёта блока и печатного узла на тепловые воздействия при стационарном и нестационарном режимах согласно описанной методике в системе АСОНИКА. ...
Добавлено: 11 декабря 2014 г.
Воловиков В. В., Сарафанов А. В., Информационные технологии 2012 № 2 С. 44-48
Рассматриваются вопросы снижения погрешностей вычисления сопротивления конвективного теплообмена в каналах конструкций радиоэлектронной аппаратуры для математических моделей, формируемых на основе эквивалентных тепловых схем. Приведены аналитические зависимости для теплообмена при ламинарном, переходном и турбулентном течении теплоносителя в каналах круглого и прямоугольного сечения. Предложены способ вычисления теплового сопротивления при разбиении канала на изотермические участки и поправка на соотношение ...
Добавлено: 3 февраля 2013 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
Роткевич А. С., Семененко А. Н., Динамика сложных систем 2013 Т. 7 № 1 С. 35-42
Рассмотрен пример использования системы АСОНИКА при проектировании радиоэлектронных средств. Представлена постановка задачи и показаны этапы её решения. ...
Добавлено: 24 ноября 2015 г.
Громов И. Ю., Кожевников А. М., Системный администратор 2014 № 7-8 С. 139-143
В статье рассматриваются тепловые модели элемента Пельтье и тепловой трубы, предназначенные для включения в общую тепловую модель конструкции электронной аппаратуры с целью оптимизации параметров системы обеспечения её теплового режима. Модели строятся на основе экспериментальных данных производителя и содержат минимальное количество изменяемых параметров. ...
Добавлено: 6 марта 2015 г.
Петросянц К. О., Торговников Р. А., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 267-273.
С помощью приборно-технологической САПР проведено электро-тепловое моделирование современных п/п структур SiGe ГБТ. Показано, что для приборов, работающих с высокими плотностями тока и/или удельной мощности, наличие в структурах диэлектрической щелевой изоляции существенно ограничивает возможности отвода тепла, что повышает рабочую температуру приборов и приводит к деградации электрических параметров. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1-16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Карданова Е. Ю., Лоялка П. К., Чириков И. С. и др., Assessment & Evaluation in Higher Education 2016 Vol. 41 No. 5 P. 770-786
Добавлено: 7 апреля 2016 г.
Терехович В. Э., Эпистемология и философия науки 2019 Т. 56 № 1 С. 169-184
Анализ представлений о реальности ненаблюдаемых объектов квантовой теории не укладывается в рамки оппозиции реализм – анти-реализм. Во-первых, необходимо различать реализм в отношении к теории и в отношении ее объектов. Во-вторых, реализм в отношении классических объектов может совмещаться, как с реализмом, так и с анти-реализмом в отношении квантовых объектов. В-третьих, понятия «существование» и «объективная реальность» могут ...
Добавлено: 12 февраля 2020 г.
Bilanenko E., Kamzolkina O., Grum-Grzhimaylo A. и др., Fungal Biology 2019 Vol. 123 No. 2 P. 140-150
Добавлено: 3 октября 2019 г.
Красноярск : ИВМ СО РАН, 2013
Труды Пятой Международной конференции «Системный анализ и информационные технологии» САИТ-2013 (19–25 сентября 2013 г., г.Красноярск, Россия): ...
Добавлено: 18 ноября 2013 г.
Трубочкина Н. К., Качество. Инновации. Образование 2010 № 6 С. 55-63
В статье приведены результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях. Выявлены тонкие физические отличия, определены варианты технологической реализуемости. ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.
St. Petersburg : [б.и.], 2019
Добавлено: 24 ноября 2019 г.
Рассмотрен метод многоцелевого принятия решений как задача нечеткого программирования. Для выражения уровней желаемости использован способ установления предпочтений критериев и оценки достижимости. ...
Добавлено: 17 октября 2015 г.
М. : National Instruments Russia, 2017
Содержание сборника составляют доклады с результатами оригинальных исследований и технических решений, ранее не публиковавшиеся. Мы надеемся, что предлагаемый сборник окажется полезным для специалистов, работающих в различных областях науки и техники, для широкого круга преподавателей, аспирантов и студентов ВУЗов, а также для преподавателей средних школ и технических колледжей. ...
Добавлено: 10 мая 2017 г.