Статья
Моделирование внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды (окончание)
В статье приведены результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях. Выявлены тонкие физические отличия, определены варианты технологической реализуемости.
В статье приведены результаты и качественный анализ 2D и 3D моделирования внутреннего и поверхностного p-n переходов с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды. Промоделированы 17 основных параметров наноструктур в 2D и 3D реализациях. Выявлены тонкие физические отличия, определены варианты технологической реализуемости.
В предлагаемом ниже устройстве для формирования квантовых ям на подложке платформы используется лазерный луч, который облучает через электрореологическую жидкость поверхность подложки и формирует на нем профиль квантовых ям.
Введение в устройство для формирования квантовых ям на подложке платформы, источника лазерного излучения, диэлектрической втулки, конденсаторных пластин, цилиндрических стержней из оптически прозрачного материала, двух эластичных плёнок, внутри которых расположена электрореологическая жидкость, обеспечивает возможность формирования однородных и одноразмерных квантовых ям на волнистом профиле подложки.
Применение предлагаемого устройства для формирования квантовых ям на подложке позволяет обеспечить возможность формирования однородных и одноразмерных квантовых ям на волнистом профиле подложки.
Современные нанотехнологии давно нашли свое место в области лазерных и светоизлучающих структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники, а также в других областях науки и технологии. Одним из наиболее ярких примеров применения нанотехнологий является развития микропроцессорной техники, где за несколько последних десятилетий топологический размер затворов транзисторов уменьшился с единиц микрометров до единиц нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В данном пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники. В пособии разбираются основы полупроводниковых нанотехнологий, в том числе и в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм. Кроме того, в пособии приводится углубленный анализ возможностей и ограничений литографических методов экспонирования резистов и визуализации получившихся наноструктур с применением пучков заряженных частиц на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев на кремниевых подложках. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.
НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА Труды XIX Международного симпозиума Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г. Том I: секции 1, 2, 4, 5 Нижний Новгород Издательство Нижегородского госуниверситета 2015
В статье рассматриваются основы построения моделей измерительных приемников, предназначенных для виртуальных исследований в области ЭМС, в формах, отличных от схемной. Анализируются модели на основе цифровой обработки сигналов, формальные математические модели, а также базирующиеся на графическом программировании. Формулируется общий вывод о перспективах использования таких моделей при построении системы автоматизированного проектирования, реализующей процедуру виртуальной сертификации радиоэлектронных средств по эмиссии излучаемых радиопомех.
Излагаются результаты разработки моделей надёжности для проектных исследований надёжности радиоэлектронной аппаратуры, полученные в ходе выполнения II этапа научно-исследовательской работы «Разработка методов и средств для проектных исследований надёжности радиоэлектронной аппаратуры» выполняемой в рамках тематического плана МИЭМ по теме № 100077: «Разработка моделей надёжности для проектных исследований надёжности радиоэлектронной аппаратуры».
Приводятся результаты разработки унифицированных топологических моделей надёжности резервированных групп. Описываются формальные модели типовых групп для нагруженного резервирования, для ненагруженного резервирования, для комбинированного контроля работоспособности, для групп с переключателями и групп с восстановлением. Проанализированы способы реализации γ-процентного контроля работоспособности РЭА и СЧ и даны рекомендации по модификации алгоритмов формирования временных диаграмм состояний типовых резервированных групп для различных способов контроля. Предложены методы формирования временных диаграмм состояний для восстанавливаемых резервированных групп для «последовательного» и «параллельного» соединения компонентов. Приводятся результаты экспериментальной проверки разработанных моделей и методов для проектных исследований надёжности РЭА.
В работе была предложена схемная модель отдельных узлов фликерметра. Эту модель можно использовать для оценки уровня фликера в электросетях при виртуальных исследованиях кондуктивных помех, которые являются составляющей общей теории виртуальной сертификации. В будущем на основе этой модели могут быть разработаны инженерные методики, нацеленные на решение практических задач в области ЭМС с широким привлечением средств автоматизации и моделирования.
Документ содержит проект методологических рекомендаций по статистическому измерению технологий. Он включает предложения по формированию операциональных определений технологий, подходы к идентификации классификации новых и возникающих технологий, а также предложения по разработке системы показателей, характеризующих жизненный цикл технологий, и стратегиям сбора данных. Разработанные рекомендации предлагается использовать в качестве методологической основы гармонизированной системы сбора и интерпретации статистических данных о технологиях. В приложении приводятся сведения о доступных определениях технологий и краткие результаты исследования опыта национальных статистических служб в области статистического наблюдения науки и технологий.
Атлас содержит 8 карт, графики и таблицы, иллюстрирующие основные закономерности и ограничения в области утилизации твердых бытовых отходов в Центральном Федеральном округе. Социальная значимость Атласа состоит в выявлении и типологизации основных "ядер" антропогенного загрязнения, представленных полигонами и свалками ТБО.
Создание атласа осуществлялось при финансовой поддержке Русского Географического общества (грант РГО №59-2013/Н7 "Экологические риски в пригородных и межселенных территориях")