?
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 5 (85) С. 81-83
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Лыткарино МО : АО "НИИП", 2020
Тематика
Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры
Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои
Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения
Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий
Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Садовничий Д. Н., А.П. Тютнев, Мелехин Ю. М., Известия Академии наук. Серия химическая 2020 № 9 С. 1607-1613
В обзоре рассмотрено современное состояние вопросов экспериментального и теоретического изучения радиационно-индуцированной электропроводности и электризации полимерных диэлектриков при воздействии пучков электронов. Обсуждается влияние молекулярной подвижности на транспорт избыточных носителей заряда в полимерных материалах. ...
Добавлено: 15 декабря 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263-266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Вторая часть книги состоит из трех глав. В первой главе второй части книги дается всесторонний теоретический анализ радиационной электропроводности полимеров, излагаются новейшие экспериментальные данные по радиационной электропроводности полимеров и прыжковому транспорту носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Воздействие ионизирующих излучений (быстрых электронов, гамма-квантов, протонов, быстрых и медленных нейтронов и др.) на полимерные диэлектрики (в дальнейшем, ...
Добавлено: 20 апреля 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Добавлено: 21 марта 2014 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия Южного федерального университета. Технические науки 2012 № 6(131) С. 77-82
В работе представлены математические модели для учёта влияния поглощённой дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных ...
Добавлено: 28 ноября 2012 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 -2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Добавлено: 8 октября 2016 г.
Кравченко Н. П., Мухин С. В., Пресняков С. А., Journal of Communications Technology and Electronics 2017 Vol. 62 No. 7 P. 800-808
Добавлено: 24 октября 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov, , in : Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. : Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9-12.
Проведено исследование деградации характеристик SiGe ГБТ после воздейсвтия протонного излучения с помощью Synopsys Sentaurus. Представлена и добавлена в структуру Synopsys Sentaurus новая модель для для влияния протонного излучения на электрофизические параметры (t, S0, Nit). Используется способ учета влияния протонного излучения базирующийся на аддитивности ионизационных эффектов и эффектов смещения. По результатам сравнения смоделированных и экспериментальных характеристик SiGe ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Орехов Е. В., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом,
рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия,
рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников;
дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Лыткарино МО : [б.и.], 2015
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Добавлено: 18 сентября 2015 г.
В третьей части книги представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на изделия электронной техники. Книга предназначена для конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры космических аппаратов, она также может быть полезна для научных работников и инженеров, специализирующихся в области электроники и радиационной физики.
Введение. Обеспечение надежной эксплуатации космических аппаратов в космосе сопряжено с решением целого комплекса научно-технических ...
Добавлено: 29 декабря 2017 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
Исследованы эффекты воздействия протонного излучения на кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe ГБТ) с использованием САПР Synopsys/ISE TCAD. В программу включена модель деградации времени жизни носителей под действием потока протонов. Представлены результаты воздействия протонов различной энергии. Показано, что для SiGe ГБТ увеличение базового тока оказывается больше при воздействии низкоэнергетических протонов, чем при воздействии высокоэнергетических протонов. Представлены ...
Добавлено: 21 октября 2012 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718-723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.