• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • О влиянии заряженных центров на транспорт носителей заряда в молекулярно допированных полимерах
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.
8 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, что рейтинг врача более убедителен для пациентов, чем стаж
Исследователи НИУ ВШЭ изучили, как стаж и рейтинг врачей влияют на доверие пациентов к медицинской информации. Оказалось, что люди считают более убедительным мнение врачей, у которых высокий рейтинг, а на опыт работы обращают меньше внимания. Результаты опубликованы в журнале Frontiers in Human Neuroscience.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

О влиянии заряженных центров на транспорт носителей заряда в молекулярно допированных полимерах

Высокомолекулярные соединения. Серия А. 2011. Т. 52. № 7. С. 1122–1132.
Тютнев А. П., Саенко В. С., Грач Е. П., Пожидаев Е. Д.
С использованием ускоренных электронов для генерации носителей заряда как в поверхностном слое полимера, так и в объеме экспериментально исследовано влияние заряженных центров на подвижность носителей заряда в молекулярно допированном поликарбонате. Предсказываемая теорией коррелированного беспорядка (дипольного стекла) сверхвысокая чувствительность подвижности к присутствию заряженных центров не обнаружена. Трансформация времяпролетных кривых с четко выраженным плато, свидетельствующим согласно теории о квазиравновесном транспорте, по мере накопления заряженных центров происходит в полном соответствии с классическими представлениями о роли объемного заряда или бимолекулярной рекомбинации при проведении облучения в режиме большого сигнала. Подтверждено, что транспорт носителей заряда в исследованном молекулярно допированном полимере является не квазиравновесным, а дисперсионным.
Приоритетные направления: компьютерно-математическое
Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: accelerated electronsthe theory of correlated disorderquasiequilibrium transportУскоренные электроныТеория коррелированного беспорядкаКвазиравновесный транспорт
Похожие публикации
A Three-Party W-State Quantum Secret Sharing Protocol with X-Gate Encoding and Forbidden-Outcome Detection
Терегулов Т. Р., Лубенец Е. Р., / Series Quantum Physics "arXiv". 2026. No. 2609.31472.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
On calibration of remote sensing retrievals of ecosystem respiration (Reco) with tower measurements over,Russian forests and wetlands
Shabanov N., Kuricheva O., Kurbatova J. и др., / Series Working Papers SSRN "Department of Economics Ca’ Foscari University of Venice". 2026.
Добавлено: 21 августа 2026 г.
Three Algorithms for Merging Hierarchical Navigable Small World Graphs
Пономаренко А. А., / Series Computer Science "arxiv.org". 2025.
Добавлено: 30 июля 2026 г.
Growth in noncommutative algebras and entropy in derived categories
Пионтковский Д. И., / Series arXiv "math". 2026.
Добавлено: 23 июня 2026 г.
Multilinear nilalgebras and the Jacobian theorem
Пионтковский Д. И., / Series arXiv "math". 2025.
Добавлено: 23 июня 2026 г.
ML-based Fast Simulation of FARICH Responses
Шипилов Ф. А., Barnyakov A., Ivanov A. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2026.
Добавлено: 19 мая 2026 г.
Natural hazard database from Internet publications: text mining with a large language model
Деркачева А. А., Сакиркина М. А., Краев Г. Н. и др., /. 2026.
Добавлено: 28 апреля 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Using predefined vector systems to speed up neural network multimillion class classification
Gabdullin N., Андросов И. А., / Series Computer Science "arxiv.org". 2026.
Добавлено: 2 апреля 2026 г.
Iterative Ricci-Foster Curvature Flow with GMM-Based Edge Pruning: A Novel Approach to Community Detection
Сорокин К. С., Бекетов М. Е., Онучин А. и др., / arxiv.org. Серия cs.SI "Social and Information Networks ". 2025.
Обнаружение сообществ в сложных сетях — фундаментальная проблема, открытая для новых подходов в различных научных областях. Мы представляем новый метод обнаружения сообществ, основанный на потоке Риччи на графах. Наша техника итеративно обновляет веса ребер (их метрические длины) в соответствии с их (комбинаторной) версией кривизны Риччи Фостера, вычисленной на основе эффективного расстояния сопротивления между узлами. Известно, ...
Добавлено: 15 января 2026 г.
Implementing Transport Coding in OMNeT++ for Message Delay Reduction
Петрованов И. С., Сергеев А. В., / Series Computer Science "arxiv.org". 2025. No. 2512.18332.
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А., В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"Т. 1. Вып. 96.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 291–294.
Представлена TCAD-модель кремниевого бетавольтаического элемента для исследования зависимости характеристик элемента от его объемной структуры. Для имитации результатов генерации электронно-дырочных пар при воздействии излучения от источника бета-частиц применяется настроенная  модель оптической генерации, имеющаяся в TCAD. Проведено исследование зависимости вольт-амперных характеристик бетавольтаического элемента от профиля легирующей примеси, температуры и типа полупроводникового материала для источника излучения Ni-63. ...
Добавлено: 26 июня 2020 г.
Enhanced Bimolecular Recombination of Charge Carriers in Amorphous Organic Semiconductors: Overcoming the Langevin Limit
Новиков С. В., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 31 P. 18854–18860
Добавлено: 24 октября 2019 г.
Пробеги электронов в толстых и тонких слоях веществ в модели обобщенной диффузии
Конов К. И., Никеров В. А., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 110–116.
В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение электронов с энергией 3-100 кэВ в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в корень из (Z/3) значения. При этом ошибка появляется ...
Добавлено: 3 октября 2013 г.
Транспорт и отражение от различных сред ускоренных электронов и фотонов в модели обобщенной диффузии
Никеров В. А., Шолин Г. В., Инженерная физика 2012 № 11 С. 3–9
Последовательно сформулирована аналитическая модель обобщенной диффузии, позволившая в широком диапазоне энергий частиц и параметров среды рассчитать с точностью 10…30 % среднюю длину пробега вдоль координаты ускоренных электронов и фотонов, а также оценить распределение длин пробега и энерговклад. Рассчитаны коэффициенты объемного отражения ускоренных электронов и фотонов от различных сред методом диаграмм, причем в качестве нулевого приближения ...
Добавлено: 30 января 2013 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору