• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
20 мая 2026 г.
«Еж» против «родственника»: ученые измерили, как мозг реагирует на неожиданные слова в живой речи
Российские нейрофизиологи с участием исследователей из НИУ ВШЭ показали, что изучать восприятие живой речи можно с помощью вызванных потенциалов. Они доказали, что метод применим не только к отдельным словам, но и к непрерывной речи. Оказалось, что слова, сильно отличающиеся по смыслу от предыдущего контекста, мозг обрабатывает дольше, а служебные слова анализирует в два этапа: сначала определяет их грамматическую роль, а затем на этой основе предсказывает следующее слово. Исследование опубликовано в журнале Frontiers in Human Neuroscience.
20 мая 2026 г.
Творческая работа как лекарство от выгорания
Творческая и доброжелательная атмосфера, новые методы в Международной лаборатории (впоследствии центре) социокультурных исследований привлекают молодых исследователей. За годы работы в Вышке они становятся учеными и преподавателями, известными в России и за рубежом. О своем пути в центре и в Вышке, исследованиях и роли наставников в научных успехах рассказали главный научный сотрудник ЦСКИ Зарина Лепшокова и ведущий научный сотрудник Екатерина Бушина.
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели

С. 291–294.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А.

Представлена TCAD-модель кремниевого бетавольтаического элемента для исследования зависимости характеристик элемента от его объемной структуры. Для имитации результатов генерации электронно-дырочных пар при воздействии излучения от источника бета-частиц применяется настроенная  модель оптической генерации, имеющаяся в TCAD. Проведено исследование зависимости вольт-амперных характеристик бетавольтаического элемента от профиля легирующей примеси, температуры и типа полупроводникового материала для источника излучения Ni-63.

Язык: русский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: accelerated electronsоптоэлектронный преобразовательopen-circuit voltageфотовольтаический эффектбета частицыbetavoltaiccurrent–voltage characteristics
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения (2019)

В книге

Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"
Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"
Т. 1. Вып. 96. , Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020.
Похожие публикации
Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation
Kalinovskii V. S., Kontrosh E. V., Klimko G. V. и др., Semiconductors 2020 Vol. 54 P. 355–361
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Anomalous current–voltage characteristics of SFIFS Josephson junctions with weak ferromagnetic interlayers
T. Karabassov, A.V. Guravova, A.Yu. Kuzin и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2020 Vol. 11 P. 252–262
Добавлено: 13 февраля 2020 г.
The Photovoltaic Effect and Charge Carrier Mobility in Layered Compositions of Bithiophene or Related Rotaxane Copolymer with C70 Fullerene Derivative
Kostromin S. V., Malov V., Тамеев А. Р. и др., Technical Physics Letters 2017 Vol. 43 No. 2 P. 173–176
Изготовлены органические фотовольтаические ячейки с объемным гетеропереходом, в которых в качестве фотоактивного слоя использованы смеси сополимера битиофена или ротаксана на его основе с производным фуллерена РС70ВМ. Определена подвижность носителей заряда в слоях смесей, измерены вольт-амперные характеристики фотовольтаических ячеек и построена диаграмма энергетических уровней компонентов ячейки. Установлено, что компонент полиротаксана−макроцикл−изолирует часть тиофеновых участков макромолекулы, затрудняя транспорт ...
Добавлено: 7 октября 2017 г.
Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Белов А. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 1 С. 5–12
Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные ...
Добавлено: 14 мая 2015 г.
Способы коррекции частотных погрешностей в аналого-цифровых преобразователях перемещений временного типа
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2014 № 7 С. 3–12
Рассмотрен оптоэлектронный преобразователь перемещений временного типа с различными способами коррекции частотных погрешностей. Показано, что наиболее перспективным способом является использование контура автоматической подстройки частот. Разработана функциональная схема данного устройства и приведены основные функциональные зависимости. ...
Добавлено: 20 сентября 2014 г.
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с введением несущего сигнала в источник излучения
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 11 С. 21–26
Предложен схемотехнический вариант оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с введением несущего сигнала в источник излучения. Показано, что в разработанном устройстве скомпенсированы амплитудные погрешности, связанные с нестабильностью светового потока, а также погрешности одноканального растрового модулятора. ...
Добавлено: 27 декабря 2013 г.
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с автоматической синхронизацией амплитуд
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 9 С. 17–26
Рассмотрена схема разработанного оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с компенсацией погрешности преобразования, возникающей из-за нестабильности амплитуды генератора несущей частоты. Определена эффективность компенсации. ...
Добавлено: 29 ноября 2013 г.
Пробеги электронов в толстых и тонких слоях веществ в модели обобщенной диффузии
Конов К. И., Никеров В. А., В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 110–116.
В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение электронов с энергией 3-100 кэВ в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в корень из (Z/3) значения. При этом ошибка появляется ...
Добавлено: 3 октября 2013 г.
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с дифференциальной компенсацией погрешностей модулятора
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 4 С. 3–8
Рассмотрен оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с дифференциальным способом компенсации погрешностей одноканального растрового модулятора, возникающих из-за нестабильностей темнового напряжения фотоприемника и уровня напряжения источника постоянного напряжения. ...
Добавлено: 3 мая 2013 г.
Транспорт и отражение от различных сред ускоренных электронов и фотонов в модели обобщенной диффузии
Никеров В. А., Шолин Г. В., Инженерная физика 2012 № 11 С. 3–9
Последовательно сформулирована аналитическая модель обобщенной диффузии, позволившая в широком диапазоне энергий частиц и параметров среды рассчитать с точностью 10…30 % среднюю длину пробега вдоль координаты ускоренных электронов и фотонов, а также оценить распределение длин пробега и энерговклад. Рассчитаны коэффициенты объемного отражения ускоренных электронов и фотонов от различных сред методом диаграмм, причем в качестве нулевого приближения ...
Добавлено: 30 января 2013 г.
О влиянии заряженных центров на транспорт носителей заряда в молекулярно допированных полимерах
Тютнев А. П., Саенко В. С., Грач Е. П. и др., Высокомолекулярные соединения. Серия А 2011 Т. 52 № 7 С. 1122–1132
С использованием ускоренных электронов для генерации носителей заряда как в поверхностном слое полимера, так и в объеме экспериментально исследовано влияние заряженных центров на подвижность носителей заряда в молекулярно допированном поликарбонате. Предсказываемая теорией коррелированного беспорядка (дипольного стекла) сверхвысокая чувствительность подвижности к присутствию заряженных центров не обнаружена. Трансформация времяпролетных кривых с четко выраженным плато, свидетельствующим согласно теории ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору