Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 µm с туннельным переходом на основе слоев n++-InGaAs/р++-InGaAs/р++-InAlGaA

Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 17. P. 21–25.

Блохин С. А., Бобров М. А., Малеев Н. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г., Васильев А. П., Рочас С. С., Гладышев А. Г., Бабичев А. В., Новиков И. И., Карачинский Л. Я., Денисов Д. В., Воропаев К. О., Ионов А. С., Егоров А. Ю., Устинов В. М.

Предложена и апробирована конструкция туннельного перехода (ТП) на основе слоев n ++-InGaAs/p ++ - InGaAs/p ++-InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1.55 µm, реализованных по технологии спекания пластины с оптическим резонатором InAlGaAsP/InP и пластин с распределенными брэгговскими отражателями AlGaAs/GaAs. Наличие слоев InGaAs, устойчивых к окислению, позволяет использовать молекулярно-пучковую эпитаксию на всех этапах технологии изготовления ВИЛ, в том числе для заращивания поверхностного рельефа в слое ТП. При этом благодаря эффекту Бурштейна−Мосса в n ++-InGaAs и минимизации толщины слоя p ++-InGaAs удалось избежать роста внутренних оптических потерь. В результате характеристики изготовленных приборов сравнимы с характеристиками ВИЛ, использующих ТП n ++/p ++-InAlGaAs и имеющих аналогичный уровень потерь на вывод излучения

Ключевые слова: Vertical cavity surface emitting lasers, спекание пластин, вертикально-излучающий лазер, туннельный переход

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Оптоэлектронные приборы для оптических межсоединений и оптических систем на кристалле на основе полупроводниковых наноматериалов (2020)