• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

ВЛИЯНИЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО Р-N ПЕРЕХОДА

Радиотехника и электроника. 2017. Т. 62. № 6. С. 616-620.
Падеров В. П., Силкин Д. С., Горячкин Ю. В., Хапугин А. А., Гришанин А. В.

Рассмотрено воздействие мелких водородсодержащих доноров и акцептороподобных дефектов,
возникающих при протонном облучении кремния, на напряжение пробоя высоковольтного p–n пе-
рехода. Получены соотношения, позволяющие рассчитать напряжение пробоя облученного p–n пе-
рехода с учетом роста критической напряженности поля при попадании водородсодержащих доно-
ров в область ударной ионизации p–n перехода. Предложена методика определения положения
слоя и минимальной дозы водородсодержащих доноров, позволяющих уменьшить напряжение
пробоя на заданную величину.