?
Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge –микросруктур («микромостиков») на основе Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge- микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах деформации микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинированного рассеяния света показали увеличение деформации растяжения с 0.2-0.25% в исходной Ge-плёнке до 2.4% в Ge-микромостиках. Методом спектроскопии микрофотолюминсценсии продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge-микромостиках и их окрестностях по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоев Ge.