• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Изучение методом резерфордовского обратного рассеяния распределения элементов в пленках, напыленных на установке типа “Плазменный фокус”

Колокольцев В. Н., Куликаускас В. Н., Бондаренко Г. Г., Ерискин А. А., Никулин В. Я., Силин П. В.

Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ с энергией 2 МэВ изучены профили распределения элементов C, Cu и W в пленках, напыленных на электроразрядной установке типа “плазменный фокус”. Пленки наносили на стеклянные подложки в плазмообразующем газе Ar. Установлено, что профили распределения элементов существенно зависят от кинетической энер- гии частиц. Частицы, имеющие скорость ~105 м/с, проникают на глубину ~1.5 мкм. Соответствую- щие профили распределения элементов по толщине стекла являются нелинейными. Для каждого элемента существует максимальная глубина залегания слоя под поверхностью стекла. Особенно- стью пленок, получаемых на установке типа “плазменный фокус”, является образование слоев из элементов Cu, W и C под поверхностью стекла и их взаимное перекрытие. Такое расположение сло- ев существенно отличает описываемый метод нанесения пленок от традиционно используемых ме- тодов нанесения при низких скоростях осаждения атомов, а также за счет диффузии. Установлено, что полученные пленки являются диэлектриками.