• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi2Se3

Овешников Л. Н., Нехаева Е. И., Прудкогляд В. А., Кунцевич А. Ю., Селиванов Ю. Г., Чижевский Е. Г., Аронзон Б. А.
В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi2Se3 с защитным слоем Se, выра- щенных на подложках (111) BaF2. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях, обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова–де Гааза в больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении на- личия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим.