• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком

В статье с помощью расчёта в системе приборно-технологического моделирования TCAD проанализирована зависимость токов утечки транзисторной МОП-структуры размера 45 нм от внешних факторов.