?
Обґрунтування вибору методу та засобів моделювання мереж на кристалі
В статье проведен сравнительный анализ различных подходов к моделированию сетей на кристалле (СнК). Определены основные направления поисковых исследований по тематике СнК и показано, что моделирование, анализ и симуляция СнК являются базовыми для проведения других исследований.
Охарактеризованы типичные подходы к моделированию СнК и приведены примеры их применения, отмечены преимущества и недостатки: 1) аналитическое моделирование (очевидный подход, который не требует применения специальных систем автоматизированного проектирования, но анализ таких моделей затруднен из-за их комплексности и нелинейности поведения СнК); 2) высокоуровневое имитационное моделирование (применимо для большинства направлений исследования СнК, где нет привязки к аппаратурной реализации, и необходимо быстро получить результаты моделирования с достаточной точностью); 3) низкоуровневое HDL-моделирование (имеет высокую точность, настраиваемость моделей и возможность синтеза СнК, но требует высоких затрат времени на разработку моделей и проведение моделирования).
Предложено использование языка SystemC для построения моделей СнК, что дает возможность уменьшить недостатки и объединить преимущества низкоуровневого и высокоуровневого подходов. Моделирование с помощью SystemC является универсальным подходом, применимым для всех направлений поисковых исследований по тематике СнК.