• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов

Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные параметры SiGe ГБТ (beta, gm, VA, fT, fmax и др.) менее чувствительны к воздействию перечисленных видов радиации, чем у кремниевых транзисторов. По фактору суммарной поглощённой дозы SiGe ГБТ имеют уникальные показатели стойкости, которые для приборов, изготовленных по последним уровням SiGe технологии, составляют 50-100 Мрад.