?
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 973–978.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А.
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может протекать как в резонансном, так и в нерезонансном режиме по отношению к зеемановскому расщеплению уровней. В последнем случае частота возбуждения может быть меньше резонансной, при этом динамика системы демонстрирует поведение, напоминающее эффекты интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны, происходящие при динамическом пересечении уровней в изолированных квантовых точках.
A. V. Pereskokov, Journal of Mathematical Sciences 2026 Vol. 302 No. 4 P. 531–545
Добавлено: 1 октября 2026 г.
Obraztsova Anna, Fominykh Nikita, Komarov Sergey и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 132110
Добавлено: 30 сентября 2026 г.
Мельников И. Е., Пелиновский Е. Н., Доклады Российской академии наук. Физика, технические науки (ранее - Доклады Академии Наук. Физика) 2026 Т. 529 С. 29–36
Представлены условия для появления пирамидальных уединенных волн (уединенных волн, с количеством точек перегиба больше двух) в семействе обобщенного уравнения Кортевега – де Фриза (КдФ). Для обобщенного уравнения Гарднера показано, что пирамидальные солитоны неустойчивы. Продемонстрирован численно распад начальных возмущений, близких к пирамидальным уединенным волнам. В зависимости от возмущения пирамидальный солитон либо расщепляется на два солитона (толстый ...
Добавлено: 29 сентября 2026 г.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
The Search of the Process e+e−→(ω, ρ)→ηe+e− at 680–820 MeV c.m. Energy Range with the CMD-3 Detector
A. K. Narvatkina, Physics of Atomic Nuclei 2025 Vol. 88 No. 4 P. 386–393
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Fominykh N., Стегайлов В. В., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 115132
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Piliugin L., Antropov A., Lobashev E. и др., Journal of Nuclear Materials 2026 Vol. 632 Article 156876
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Терегулов Т. Р., Лубенец Е. Р., / Series Quantum Physics "arXiv". 2026. No. 2609.31472.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Щербинин С. А., Корзникова Е. А., Дмитриев С. В. и др., Physics Letters A 2026 Vol. 591 Article 131884
В данной работе для поиска и характеризации различных квазидискретных бризеров (QB) в цепочке типа 𝛽-FPUT применяется простой генетический алгоритм (ГА). Рассматривая пространство начальных смещений частиц как ландшафт глобальной оптимизации, ГА максимизирует функцию локализации энергии, автоматически эволюционируя состояния-кандидаты в сторону сильно локализованных долгоживущих решений без каких-либо априорных предположений о симметрии. Было получено 200 QB с частотой ...
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Alexey A. Sokolik, Azat F. Aminov, Vdovin E. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 127 No. 23 Article 233101
Добавлено: 21 октября 2025 г.
Муретова М. Е., Ф.И. Зубов, Асрян Л. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 3 С. 363–369
На основе численного моделирования выполнен поиск асимметричных барьерных слоев (АБС) для лазерного диода с волноводом GaAs, излучающего на длине волны λ=980 нм. Пара АБС, прилегающих к активной области по обе стороны, блокирует нежелательные потоки носителей заряда и снижает паразитную спонтанную рекомбинацию в волноводных слоях. Предложены оптимальные конструкции АБС на основе AlGaAsSb и GaInP для блокирования ...
Добавлено: 11 августа 2022 г.
Streltsov S. V., Temnikov F. V., Кугель К. И. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 105 No. 20 P. 1–10
Добавлено: 11 июня 2022 г.
Bahovadinov M. S., Matveenko S., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 No. 31 Article 315601
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.