• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г.

Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и объема образца, пригодная для высокоомных полупроводников