Применение подсветки контактов для измерений проводимости высокоомных полупроводников

Приборы и техника эксперимента. 2014. № 3. С. 93–96.

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г.

Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и объема образца, пригодная для высокоомных полупроводников

Ключевые слова: полупроводники, ohmic contacts, free charge carrier concentration, semi-insulating semiconductor, electrical parameters, optical stimulation contact, омический контакт, электрофизические параметры, оптическая стимуляция контакта, полуизолирующий полупроводник, концентрация свободных носителей заряда