?
Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи превысила 14 000. Значительное энергетическое расстояние между модами (~ 80 μeV) наряду с высокой стабильностью длины волны генерации с ростом уровня накачки (~220 μeV) свидетельствует о перспективе использования данных лазеров с целью модуляции поляризации излучения.