?
Исследование влияния квантово-размерного эффекта на сверхпроводящий переход в тонких пленках алюминия
С. 214–215.
В данной работе выполнен расчёт изменения критической температуры в зависимости от толщины алюминиевой пленки, как для чистого случая без учета рассеяния электронов, так и с учетом рассеяния на немагнитных примесях.
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024.
Porokhov N. V., Dryazgov M. A., Shevchenko A. R. и др., Superconductor Science and Technology 2026 Vol. 39 No. 2 Article 025026
Добавлено: 1 марта 2026 г.
Безымянных Д. Г., Пугач Н. Г., Седов Е. А. и др., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 2 С. 328–332
Теоретически исследованы осцилляции параметра порядка, возникающие в результате пространственного квантования электронных состояний в квантовой яме, образованной стенками тонкой
пленки сверхпроводящего алюминия. В таких объектах с уменьшением толщины наблюдается заметный рост критической температуры и уширение сверхпроводящего перехода. Эти эффекты интерпретируются как проявление квантового размерного эффекта, влияющего на плотность состояний электронов и, соответственно, влияющие на различные электронные свойства ...
Добавлено: 17 ноября 2024 г.
Безымянных Д. Г., Пугач Н. Г., Седов Е. А. и др., Известия Уфимского научного центра РАН 2024 № 1 С. 55–60
В мире современных технологий наблюдается тенденция активного уменьшения размеров электронных устройств. При разработке новых технологий, использующих наноструктуры, часто акцентируется внимание на изучении квантовых эффектов, которые имеют критическое значение для таких конструкций. Например, одной из отличительных характеристик наноструктур является квантовая природа энергетического спектра электронов. Этот спектр становится дискретным в тех направлениях, где движение электронов ограничено. В ...
Добавлено: 12 ноября 2024 г.
Ильин А. С., Стругова А. О., Кон И. А. и др., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6.: Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 105–106.
Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Физика металлов и металловедение 2023 Т. 124 № 1 С. 56–60
Экспериментально исследованы R(T) зависимости тонких сверхпроводящих пленок алюминия, изготовленных на подложках из лейкосапфира и арсенида галлия методом электронно-лучевого распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии. Безотносительно к морфологии, был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта. ...
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
Уставщиков С. С., Путилов А. В., Аладышкин А. Ю., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 С. 476–482
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии изучены спектры дифференциальной туннельной проводимости для ультратонких пленок свинца, выращенных на монокристаллах кремния Si(111)7 × 7, с толщиной от 9 до 50 монослоев свинца. Для таких систем характерно существование локальных максимумов туннельной проводимости, причем положение максимумов дифференциальной проводимости определяется спектром размерно–квантованных состояний электронов в металлическом слое и, следовательно, ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Путилов А. В., Уставщиков С. С., Божко С. И. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 С. 789–796
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии исследована пространственная зависимость дифференциальной проводимости ультратонких Pb пленок, осажденных на поверхность Si(111)7×7. Для Pb пленок характерно наличие квантово-размерных состояний электронов проводимости и, соответственно, максимумов дифференциальной туннельной проводимости, при этом их энергия определяется в основном локальной толщиной Pb слоя. Обнаружено, что величина туннельной проводимости в пределах атомарно-гладких террас может ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Баева Э. М., Titova N. A., Veyrat L. и др., Physical Review Applied 2021 Vol. 15 No. 5 Article 054014
Добавлено: 14 июня 2021 г.
Седов Е. А., Завьялов В. В., Арутюнов К. Ю., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 № 1 С. 39–43
В середине прошлого века было продемонстрировано, что с уменьшением размеров сверхпроводящих структур, например, толщины тонкой пленки, ее критическая температура ТС сдвигается на некоторую величину. В алюминии и индии она увеличивается, а в ртути, ниобии и свинце она уменьшается. Тем
не менее общепринятой теории, объясняющей данный эффект, до настоящего времени нет. В 70-х гг., во
время самого большого ...
Добавлено: 25 января 2021 г.
Ksenz A. S., Stolyarov V. S., Chekmazov S. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 98 P. 155440
Добавлено: 27 января 2020 г.
Добавлено: 13 декабря 2019 г.
Голоколенов И. А., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., , in: IX International Conference for Professionals & Young Scientists LOW TEMPERATURE PHYSICS ICPYS LTP 2018.: Kharkov: FOP Mezina Kharkiv, 2018. P. 70–70.
Добавлено: 31 октября 2019 г.
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Добавлено: 10 октября 2019 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Голоколенов И. А. и др., Физика твердого тела 2019 Т. 61 № 9 С. 1609–1613
Экспериментально исследовались высококачественные пленки алюминия на подложках из GaAs. Был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта, влияющего как на плотность состояний электронов, так и на электрон-фононное взаимодействие. ...
Добавлено: 14 сентября 2019 г.
Krause S., Mityashkin V., Antipov S. и др., IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 2017 Vol. 7 No. 1 P. 53–59
Добавлено: 22 февраля 2017 г.
Korneeva Y., Mikhailov M., Pershin Y. и др., Superconductor Science and Technology 2014 Vol. 27 No. 9 P. 095012
Добавлено: 31 марта 2015 г.