?
Composition tunable and stable spontaneous emission and lasing in Cd-alloyed perovskite microdisks
Chemical Communications. 2024. Vol. 60. No. 93. P. 13730–13733.
Tatarinov D., Sapozhnikova E., Khmelevskaia D., Ju Y., Dolgintsev D., Bodyago E., Marunchenko A., Жуков А. Е., Zhong H., Scheblykin I., Pushkarev A.
All-inorganic Pb–Cd mixed-cation halide perovskites have emerged as semiconductors exhibiting improved optical and optoelectronic properties. We establish a reliable correlation between photoluminescence and Cd content x in bulk CsPb1−xCdxBr3 compositions, propose pathways of photoexcited charge carrier dynamics in them, and show improved stability of lasing in whispering gallery mode microdisks.
Язык:
английский
Nazarov Alexey A., Dudarova N., Zhidkova O. и др., Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 2026 Vol. 483 Article 117654
Добавлено: 9 сентября 2026 г.
Chemical Papers 2026
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Taye B. Z., Zhu J., Liu Z. и др., Materials Science and Engineering: R: Reports 2026 Vol. 171 Article 101262
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Do T. T., Xing J., Liu S. и др., APL Materials 2025 Vol. 13 No. 9 Article 091111
Добавлено: 26 января 2026 г.
Менушенков А. П., Каган М. Ю., Успехи физических наук 2026 Т. 196 № 1 С. 28–47
Недавно с использованием излучения рентгеновского лазера на свободных электронах было получено первое прямое экспериментальное доказательство существования спаренного состояния носителей заряда в реальном пространстве в родительском соединении BaBiO3 семейства высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) (висмутатов), имеющих перовскито-подобную структуру, аналогичную структуре купратных ВТСП.. В результате были подтверждены основные положения ранее сформулированной нами модели пространственно-разделенной ферми-бозе смеси в которой был ...
Добавлено: 16 января 2026 г.
Li Y., Sun N., Цзян С. и др., Angewandte Chemie - International Edition 2026 Vol. 65 No. 2 Article e12989
Добавлено: 20 ноября 2025 г.
Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106
Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...
Добавлено: 1 октября 2025 г.
Тань Ц., Цзян С., Лю Д. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2025 Vol. 16 No. 30 P. 7659–7665
Добавлено: 25 июля 2025 г.
Fu S., Sun N., Hu S. и др., Energy and Environmental Sciences 2025 Vol. 18 No. 11 P. 5503–5510
Добавлено: 8 мая 2025 г.
Yin R., Wu Y., Huang Z. и др., Advanced Functional Materials 2025 Vol. 35 No. 24 Article 2419184
Добавлено: 24 января 2025 г.
Metal halide perovskites (MHPs) have attracted strong interest for a variety of applications due to their low cost and excellent performance, attributed largely to favorable defect properties. MHPs exhibit complex dynamics of charges and ions that are coupled in unusual ways. Focusing on a combination of two common MHP defects, i.e., a grain boundary (GB) ...
Добавлено: 28 ноября 2024 г.
Qiao L., Andrey S. Vasenko, Evgueni V. Chulkov и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2025 Vol. 16 No. 1 P. 215–221
Добавлено: 22 ноября 2024 г.
Аникеева В. Е., Болдырев Н. Ю., Семенова О. И. и др., Оптика и спектроскопия 2024 Т. 132 № 8 С. 793–799
Представлены результаты исследования температурных зависимостей спектров люминесценции (3.6−120 K) при возбуждении светом с длиной волны 405 nm и бесконтактно измеренной фотопроводимости (3.6−300 K) монокристалла CsPbBr3. В низкотемпературном спектре фотолюминесценции (ФЛ), кроме линии автолокализованного экситона (2.318 eV при 10 K), наблюдаются богатая структура, возможно, относящаяся к экситонно-примесным комплексам, и широкая полоса с максимумом около 2.24 eV, ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.