?
Effective removal of global tilt from atomically-resolved topography images of vicinal surfaces with narrow terraces
Ultramicroscopy. 2024. Vol. 267. Article 114053.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Гомеоморфизмы топологических пространств называются эквивалентными по надстройке, если надстройки над ними топологически эквивалентны. В частности, топологически сопряженные гомеоморфизмы эквивалентны по надстройке. Известно, что для гомологически неприводимых гомеоморфизмов их топологическая сопряженность является необходимым и достаточным условием их эквивалентности по надстройке. Тогда как инварианты топологической сопряженности гомологически приводимых гомеоморфизмов во многих случаях являются избыточными для эквивалентности по ...
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Wary R. R., Mahato B., Sharma N. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 5099–5107
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Гнетов Ф. А., Конаков В. Д., Успехи математических наук 2026 Т. 81 № 3 (489) С. 161–162
Пусть M обозначает симметрическое пространство некомпактного типа ранга 1. Опираясь на фундаментальную работу [1], в [2] было показано, что плотность соответствующим образом нормированной суммы независимых Hn-значных случайных величин, определенная через сложение Мёбиуса в модели шара Пуанкаре, сходится к фундаментальному решению соответствующего уравнения теплопроводности. Пределом являлся нормальный закон на Hn, соответствующий ядру теплопроводности, определяемому оператором Лапласа–Бельтрами. ...
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Dikhtievskaya K., Argunov E., Карцев А. И. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Пахомова А. С., Вестник Московского университета. Серия 9: Филология 2026 № 1 С. 162–177
С середины 1920-х гг. будущие обэриуты — А.И. Введенский,
Д. Хармс, К.К. Вагинов — сблизились с кругом поэта, прозаика и драматурга
М.А. Кузмина и к концу десятилетия стали постоянными посетителями его
дома. Тема «Кузмин и обэриуты» достаточно разработана, однако в много
численных исследованиях фокус смещается на прагматику сближения с из
вестным писателем самих чинарей, для которых контакты с Кузминым были
способом ...
Добавлено: 1 апреля 2026 г.
B.V. Andryushechkin, Павлова Т. В., В.М. Ш. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2026 Vol. 28 No. 1 P. 47–51
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
B. V. Andryushechkin, Pavlova T. V., Shevlyuga V. M. и др., Physics of Wave Phenomena 2025 Vol. 33 No. 6 P. 424–433
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
B.V. Andryushechkin, Denisenkov V. S., Komarov N. S. и др., Surface Science 2025 Vol. 760 Article 122769
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
Вергелес С. С., Левченко А. А., Парфеньев В. М., Успехи физических наук 2025 Т. 195 № 11 С. 1199–1220
Затухание поверхностных волн из-за вязкой диссипации сопровождается возбуждением медленных вихревых течений благодаря сохранению полного импульса. Мы представляем теоретическую модель для волн малой амплитуды, объясняющую эксперименты по генерации вихревых течений скрещенными волнами. Особое внимание уделено влиянию поверхностных загрязнений, которое учтено в рамках модели тонкой жидкой эластичной пленки, приводящей к усилению диссипации волн и интенсификации вихревых течений. ...
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
B. V. Andryushechkin, Loginov B. A., Physics of Wave Phenomena 2023 Vol. 31 No. 2 P. 67–73
Добавлено: 24 марта 2024 г.
B. V. Andryushechkin, Pavlova T. V., Shevlyugaa V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2024 Vol. 26 No. 2 P. 1322–1327
Добавлено: 24 марта 2024 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.