?
Raman fingerprints of ultrasmall nanodiamonds produced from adamantane
Diamond and Related Materials. 2023. Vol. 133. Article 109177.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
M. A. Prosnikov, Pisarev R. V., Christianen P. C., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 9 Article 094423
Добавлено: 12 марта 2026 г.
Koniakhin S., Утесов О. И., Yashenkin A., Physical Review Research 2023 Vol. 5 No. 1 Article 013153
Добавлено: 6 марта 2023 г.
Valentina Zhurikhina, Skvortsov A., Babich E. и др., , in: IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech).: St. Petersburg: IEEE, 2021. Ch. 40 P. 168–170.
Добавлено: 23 сентября 2022 г.
Reshetov I., Журихина В. В., Tagantsev D. и др., , in: IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech).: St. Petersburg: IEEE, 2021. Ch. 38 P. 161–163.
Добавлено: 23 сентября 2022 г.
Добавлено: 11 января 2022 г.
Yashenkin A., Утесов О. И., Koniakhin S., Journal of Raman Spectroscopy 2021 Vol. 52 No. 11 P. 1847–1859
Добавлено: 9 ноября 2021 г.
Abdel-Hafiez M., Thiyagarajan R., Majumdar A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 Article 235126
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Nuraliev M., Parashchuk O., Tukachev N. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 Article 174303
Электрон-фононное взаимодействие сильно влияет и часто ограничивает перенос заряда в органических полупроводниках (ОС).. Однако подходы к его экспериментальному зондированию все еще находятся в зачаточном состоянии. В этой работе мы исследуем локальное электрон-фононное взаимодействие (определяемом энергией реорганизации переноса заряда) в низкомолекулярных ОС с помощью рамановской спектроскопии. Применение теории функционала плотности для расчета четырех серий олигомерных ОС ...
Добавлено: 18 октября 2021 г.
Valueva A., Romanov R., Vorobyeva N. и др., ACS Omega 2020 Vol. 5 No. 12 P. 6641–6650
Добавлено: 21 июня 2021 г.
Ершов И. А., Стукач О. В., Мясникова Н. В. и др., В кн.: Инновационные, информационные и коммуникационные технологии: сборник трудов XVII Международной научно-практической конференции.: М.: Ассоциация выпускников и сотрудников ВВИА им. проф. Жуковского, 2020. С. 275–279.
В данной статье представлен результат обработки данных с реального оптоволоконного датчика температуры методом экстремальной фильтрации. Приведено сравнение данного метода с фильтрацией на основе вейвлет-преобразования, методом EMD и обычным усреднением множества реализаций. Основным преимуществом экстремальной фильтрации является простой и понятный алгоритм, не требующий анализа сигнала для подбора параметров, как в случае с вейвлет-преобразованием. В отличие от ...
Добавлено: 20 июня 2021 г.
Babich E. S., Scherbak, S., Asonkeng F. и др., Optical Materials Express 2019 Vol. 9 No. 10 P. 4090–4096
Добавлено: 9 ноября 2020 г.