Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films

Ryabova M. A.; Filatov D. O.; Koryazhkina M. N.; Antonov D. A.; Antonov I. N.; Gorshkov O. N.; Kharcheva A A; Dubkov A. A.

doi:10.1088/1742-6596/1851/1/012003

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

25 августа 2026 г.

Исследователи ВШЭ сравнили рекомендательные алгоритмы по правилам спортивного турнира

Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ разработали подход, который помогает эффективнее подбирать рекомендательные алгоритмы. В нем разные методы попарно соревнуются, а по результатам всех поединков составляется общий рейтинг. Это помогает сократить число алгоритмов, которые нужно проверять при разработке новых сервисов, и сэкономить денежные и временные ресурсы.Исследование было представлено на 32-й конференции ACM SIGKDD Conference on Knowledge Discovery and Data Mining (KDD 2026).

20 августа 2026 г.

<a>Исследователи НИУ ВШЭ и Сбера научили нейросети лучше угадывать предпочтения пользователей

Институт искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ и Сбер представили новую архитектуру для рекомендательных систем: благодаря объединению двух классов моделей алгоритмы лучше угадывают интересы и потребности пользователей. Препринт работы опубликован на сайте arxiv.org и представлен на летнем фестивале «Урбан ML».

19 августа 2026 г.

Ученые ВШЭ разработали алгоритм, позволяющий производить более надежные процессоры для ЦОД

Ученые из МИЭМ ВШЭ и Самарского университета создали алгоритм LRF-3D для автоматического обхода неработающих узлов в трехмерных сетях на кристалле. Благодаря своей иерархической организации он превосходит аналоги по быстродействию и точности пути, повышая надежность процессоров для использования в ЦОД, суперкомпьютерах и ИИ-вычислениях. Исходные коды алгоритмов и тестов опубликованы в открытом доступе.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films

Ch. 012003. P. 1–6.

Ryabova M. A., Filatov D. O., Koryazhkina M. N., Antonov D. A., Antonov I. N., Gorshkov O. N., Kharcheva A A, Dubkov A. A.

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: memristor resistive switching resonant activation

В книге

Journal of Physics: Conference Series, Vol. 1851

Vol. 1851. Issue 1. , IOP Publishing, 2021.

Исследование квазиодномерных проводящих структур в полимерных слоях

Корнилов В. М., Карамов Д. Д., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 3 С. 402–407

Представлены результаты экспериментального исследования локального переключения в субмикронных полимерных пленках, следствием которого является возникновение квазиодномерных проводящих структур наноскопических размеров. Участки образца, в которых происходило переключение, были визуализированы методами атомно-силовой микроскопии спроводящим зондом. ...

Добавлено: 28 сентября 2025 г.

Fuzzy Sampled-Data Stabilization of Hidden Oscillations in a Memristor-Based Dynamical System

Bhagyaraj T., S. Sabarathinam, Viktor Popov и др., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2023 Vol. 33 No. 11 Article 2350130

Добавлено: 22 сентября 2023 г.

Dynamics analysis and fractional-order nonlinearity system via memristor-based Chua oscillator

S Sabarathinam, Viktor Papov, Wang Z. и др., Pramana - Journal of Physics 2023 Vol. 97 No. 3 Article 107

Добавлено: 13 июля 2023 г.

Stochastic model of memristor based on the length of conductive region

Agudov N. V., Dubkov A. A., Safonov A. V. и др., Chaos, Solitons and Fractals 2021 Vol. 150 Article 111131

Добавлено: 14 декабря 2022 г.

VOx Phase Mixture of Reduced Single Crystalline V2O5:VO2 Resistive Switching

Walls B., Murtagh O., Bozhko S. и др., Materials 2022 Vol. 15 No. 21 Article 7652

Добавлено: 11 декабря 2022 г.

Memristor emulator causes dissimilarity on a coupled memristive systems

Сринивасан С., Prasad A., AIP Conference Proceedings 2018 Vol. 1942 No. 1 Article 060025

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Effects of memristor-based coupling in the ensemble of FitzHugh-Nagumo elements

Коротков А. Г., Казаков А. О., Леванова Т. А., European Physical Journal: Special Topics 2019 Vol. 228 No. 10 P. 2325–2337

Добавлено: 18 октября 2019 г.

The Research of Memristor-based Neural Network Components Operation Accuracy in Control and Communication Systems

Галушкин А. И., Danilin S. N., Shchanikov S. A., , in: 2015 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: Omsk: Omsk State Technical University, 2015.

Добавлено: 13 сентября 2016 г.