• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Stochastic model of memristor based on the length of conductive region
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
11 июня 2026 г.
Время жизни популяций определяется законами математики
Исследователи НИУ ВШЭ и МГУ доказали универсальный закон, описывающий время исчезновения популяций в случайной среде. Анализ эволюции ветвящихся процессов — сложных вероятностных систем — показал, что вне зависимости от изначального числа особей процесс вымирания подчиняется строгим математическим закономерностям. Результаты опубликованы в Journal of Applied Probability.
8 июня 2026 г.
«За 12 лет на нашем счету почти 1000 операций с пробуждением»
В НИУ ВШЭ прошла XIII Летняя нейролингвистическая школа, организованная Центром языка и мозга при поддержке факультета гуманитарных наук НИУ ВШЭ. В центре внимания слушателей была совместная работа нейролингвистов, нейрохирургов и нейрофизиологов в операционной, стандартизация лингвистических парадигм и практические подходы к сохранению речевой функции пациентов.
5 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона
Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Stochastic model of memristor based on the length of conductive region

Chaos, Solitons and Fractals. 2021. Vol. 150. Article 111131.
Agudov N. V., Dubkov A. A., Safonov A. V., Krichigin A. V., Харчева А. А., Guseinov D. V., Koryazhkina M. N., Novikov A. S., Shishmakova V. A., Antonov I. N., Carollo A., Spagnolo B.
Научное направление: Физика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: memristorstochasticityresistive switching
Похожие публикации
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Innovations in Information and Decision Sciences. Proceedings of the 13th International Conference on Frontiers in Intelligent Computing: Theory and Applications (FICTA 2025), Volume 4
Springer, 2026.
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Relativistic effects in the interaction of electrons with a slow extraordinary wave
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Wave dynamics within the Whitham-Ostrovsky equation
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Green synthesis of Bi-functional silica nanoparticles towards highly efficient photocatalysis and antibacterial application
Hazarika A. P., Дас А., Das S. K. и др., Physica B: Condensed Matter 2026 Vol. 738 Article 418803
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Signatures of Reconnection and a Split Heliospheric Tail in High-energy Energetic Neutral Atoms
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Two-dimensional hexagonal boron nitride-ferrofluid hybrids enable efficient magnetic cooling
Nishant T., Карцев А. И., Saswata G. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Article -
Добавлено: 2 июня 2026 г.
The critical role of shear antiphase boundaries in τ-Mn(Al,Ga) rapidly quenched alloy
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Combined Experimental and Ab Initio Study of Sc Doping in MgB2: Decoupling Electronic and Microstructural Effects on Superconductivity
Dikhtievskaya K., Argunov E., Alexey I. Kartsev и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Bridging Superconductors With United Nations Development Goals: Perspectives and Applications
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Численное моделирование полевой эмиссии из полупроводникового катода в вакуум
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Electrostatically gated dissipation control in two-dimensional nanoelectromechanical resonators via strain-amplitude antagonism for record 928% Q tunability
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Enhanced Terahertz Thermoelectricity Via Engineered Van Hove Singularities and Nernst Effect in Moiré Superlattices
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Non-linear in-band interference cancellation on base of conjugate gradients method
Degtyarev A., Bakhurin S., Юдин Н. Е., DSPA 2026 P. 1–6
Добавлено: 26 мая 2026 г.
Исследование квазиодномерных проводящих структур в полимерных слоях
Корнилов В. М., Карамов Д. Д., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 3 С. 402–407
Представлены результаты экспериментального исследования локального переключения в субмикронных полимерных пленках, следствием которого является возникновение квазиодномерных проводящих структур наноскопических размеров. Участки образца, в которых происходило переключение, были визуализированы методами атомно-силовой микроскопии спроводящим зондом. ...
Добавлено: 28 сентября 2025 г.
Fuzzy Sampled-Data Stabilization of Hidden Oscillations in a Memristor-Based Dynamical System
Bhagyaraj T., S. Sabarathinam, Viktor Popov и др., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2023 Vol. 33 No. 11 Article 2350130
Добавлено: 22 сентября 2023 г.
Dynamics analysis and fractional-order nonlinearity system via memristor-based Chua oscillator
S Sabarathinam, Viktor Papov, Wang Z. и др., Pramana - Journal of Physics 2023 Vol. 97 No. 3 Article 107
Добавлено: 13 июля 2023 г.
Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films
Ryabova M. A., Filatov D. O., Koryazhkina M. N. и др., , in: Journal of Physics: Conference Series, Vol. 1851Vol. 1851. Issue 1.: IOP Publishing, 2021. Ch. 012003 P. 1–6.
Добавлено: 4 марта 2023 г.
VOx Phase Mixture of Reduced Single Crystalline V2O5:VO2 Resistive Switching
Walls B., Murtagh O., Bozhko S. и др., Materials 2022 Vol. 15 No. 21 Article 7652
Добавлено: 11 декабря 2022 г.
Memristor emulator causes dissimilarity on a coupled memristive systems
Сринивасан С., Prasad A., AIP Conference Proceedings 2018 Vol. 1942 No. 1 Article 060025
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Effects of memristor-based coupling in the ensemble of FitzHugh-Nagumo elements
Коротков А. Г., Казаков А. О., Леванова Т. А., European Physical Journal: Special Topics 2019 Vol. 228 No. 10 P. 2325–2337
Добавлено: 18 октября 2019 г.
Stochasticity in Algorithmic Statistics for Polynomial Time
Верещагин Н. К., Милованов А. С., , in: 32nd Computational Complexity Conference.: Вадерн: Schloss Dagstuhl – Leibniz-Zentrum für Informatik, Dagstuhl Publishing, 2017. P. 1–18.
A fundamental notion in Algorithmic Statisticsis that of a stochastic object, i.e., an object having a simple plausible explanation. Informally, a probability distribution is a plausible explanation for x if it looks likely that x was drawn at random with respect to that distribution. In this paper, we suggest three definitions of a plausible statistical ...
Добавлено: 12 октября 2017 г.
The Research of Memristor-based Neural Network Components Operation Accuracy in Control and Communication Systems
Галушкин А. И., Danilin S. N., Shchanikov S. A., , in: 2015 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: Omsk: Omsk State Technical University, 2015.
Добавлено: 13 сентября 2016 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору